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— PAGE \* Arabic 1 — 半导体物理与器件实验报告 课程实习报告   HUNAN UNIVERSITY  题目：半导体物理与器件  学生姓名：周强强  学生学号：20100820225  专业班级：通信二班  完成日期：2012.12.22   运行结果截图：  2.2 函数(),cos(2/)V  x t x t πλω=-也是经典波动方程的解。令03x λ≤≤，请在同一坐标中  绘出x 的函数(),V  x t 在不同情况下的图形。  (1)0;(2)0.25;(3)0.5;(4)0.75;(5)t t t t t ωωπωπωπωπ  =====。     3.27根据式（3.79），绘制出0.2()0.2F E E eV -≤-≤范围内，不同温度条件下的费米-狄拉克概率函数：()200,()300,()400a T K b T K c T K ===。     4.3 画出a （）硅，b （）锗，c （）砷化镓在温度范围200600K T K ≤≤内的本征载流子浓度曲线  （采用对数坐标）。      4.46 已知锗的掺杂浓度为15  3a =310  cm N -?，d =0N 。画出费米能级相对于本征费米能级的位  置随温度变化  200600)K T K ≤≤（的曲线。     5.20硅中有效状态密度为 19  3/2c 2.8  10()300T N =? 193/2  1..0410()  300  T  N ν=? 设迁移率为 3/2  n =1350300T μ-??  ?  ??  3/2  =480300T ρμ-??  ?  ??   设禁带宽带为g =1.12V E e ，且不随温度变化。画出200600K T K ≤≤范围内，本征电导率随绝对温度T 变化的关系曲线。     6.34 n 型硅样品的掺杂浓度为16310d  N cm -=，产生的过剩载流子的浓度为  ()1443()10exp /10p x x cm δ--=-。在140410x ≤≤?范围内，绘出Fi Fp  E E -随x 变化的函  数。     7.4均匀掺杂的GaAs  pn 结，其掺杂浓度为183163510,510a d N cm N cm --=?=?。画出  200500K T K ≤≤温度区间内，内建电势差随温度变化的曲线。      8.3 300T K =,理想硅  pn 结的少子寿命分别为670010,10n p s s ττ--==。N 区的掺杂浓度为  16310d N cm -=。绘制出当a N 的范围是151831010a N cm -≤≤时，空间电荷区内空穴电流占总  电流的比例随a N 变化的曲线图（采用对数坐标）。      9.10 金与掺杂浓度为16310d N cm -=的n 型硅基础形成肖特基二极管。简要说明肖特基势垒降  低现象。  ()a 绘出肖特基势垒降低值φ?与反偏电压在050R V V ≤≤时的图形；      ()b 绘出()()/0sT R sT R J V J V =与反偏电压在050R V V ≤≤时的图形。     实验源代码（基于mathematica7.0）：  2.2  V1=Cos[ 2 π x / λ - 0];  V2=Cos[ 2 π x / λ - 0.5 π];  V3=Cos[ 2 π x / λ - π];  V4=Cos[ 2 π x / λ - 1.5 π];  V5=Cos[ 2 π x / λ - 2 π];  λ =1;  Plot [{V1,V2,V3,V4,V5},{x,0,3}, PlotStyle→{RGBColor