地址计数电路、存储器件及其操作方法与流程.docxVIP

PAGE PAGE 1 地址计数电路、存储器件及其操作方法与流程 相关申请的交错引用本申请是申请日为2017年8月18日、申请号为cn201710713598.2、发明名称为“地址计数电路、存储器件及其操作办法”的中国发明专利申请的分案申请。示例性实施例涉及一种地址计数电路、存储器件及其操作办法。背景技术：：通常，诸如动态随机存取存储器(dram)的半导体存储器件的存储单元由用作开关的晶体管和储存电荷(即，数据)的电容器构成。按照在存储单元的电容器中是否存在电荷(即，在电容器的端电压是高还是低)，数据被标识为“高”(规律1)或“低”(规律0)。原则上，储存数据不消耗功率，由于储存数据以在电容器中累积电荷的方式实现。然而，因为因金属氧化物半导体(mos)晶体管的pn耦合等引起的泄漏电流，因此储存在电容器中的电荷的初始量可能会消逝，所以数据可能会走失。为了防止这种状况，应当在数据走失之前读取存储单元中的数据，并且基于读取信息将正常量的电荷举行再充电。惟独当这样的操作被周期性地重复时，才干保留储存数据。这种用于对单元电荷再充电的过程被称为刷新操作。在每次从存储器控制器接收到刷新指令时，执行存储器件中的刷新操作。存储器控制器以预定时光间隔来将刷新指令传输到存储器件，这考虑到存储器件的数据保留时光以及存储器件的存储单元的总数。例如，假如存储器件的数据保留时光为64m