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MOS 管器件击穿机理分析 1 MOS 管发生雪崩击穿时场强分布 MOS 管击穿发生时场强分布如图 1 所示，如果没有栅，则 PN 结的最大场强出现在结中间 Ei ，由于多晶 栅的存在， 则在 A 点又出现一个场强峰值 Ed ，因为 MOS 管具有栅结构， 所以其击穿和单纯的 PN 结击穿 是不完全相同的。 这里我们从 A 、B 两点的场强 Ei 和 Ed 的大小来讨论 MOS 管的击穿特性。 如图 1 所示， Xbd 是衬底中结耗尽宽度， Xdd 是漏区结耗尽宽度。横向电场分布我们已经很了解，这里主 要看纵向电场分布，从 Xbd 到 Xdd ，纵向电场和栅沟道电势差有关，在测试击穿时，栅是接地的，因为为 0 电位，所以纵向电场分布和沟道电势变化趋势一致。 从 B 到 A 点， 电势逐步升高， 因此， 纵向场强增大， 但是从 A 到 Xdd ，尽管电势仍然升高，但是由于氧化层增厚，因此场强有减小趋势。所以在 A 点存在一 个峰值电场。 这个峰值电场的具体位置是否一定在多晶边缘正下方和栅氧厚度有关。 但 A 点的位置一定在 多晶边缘的外侧的漏区。 图 2 （a ）大致反应了从 Xbd 到 Xdd 的场强和电势分布情况，图 2 （b ）则分别从纵向和横向反映电场分布 情况。 纵向电场分两部分，一部分是氧化层中，一部分是 Si 中耗尽层；同样，电势也分为两部分，一部分是在 氧化层上的降落，一部分是 Si 中耗尽层降落。由于介电常数的关系， SiO2 中场强是 Si 中峰值场强的 3 倍。下面讨论在 Ed 发生击穿的情形： （1 ）A 点（ Ed ）击穿 由于漏端电阻小，基本无电势降落，在 LDD 上会出现电势降落（若无 LDD 结构，则 A 点的电势和 VCC 基本相同相等）降落到 A 点时，此时 A 点和多晶栅之间的电势在栅氧和耗尽层中形成电场， LDD 处于耗 尽状态，会诱发 LDD 中雪崩击穿。如图 3 所示。 对 Nsub 接正，多晶接地，压降降落在氧化层和耗尽层上，氧化层中是均强电场，耗尽层中电场和具体位 置相关。 根据高斯定理： QP ＝ ε0 εsiEsi，QT=ε0 εSiO2ESiO2 ，这里 QT 是总电荷， QP 是多晶上的正电荷和耗尽层 中负电荷的和。可见在 Si －SiO2 的界面处存在电场突变现象。 ESiO2/ESi 的比值和它们的介电常数成正 比，所以 SiO2 和 Si 为中最大场强比为 11.9/3.9 ＝3 。在耗尽层边缘，电场强度为 0。 一般氧化层的击穿场强为 9MV·cm － 1，则达到 SiO2 击穿场强时 Si 中的场强有 3MV·cm －1 ，这个场强下 Si 衬底早发生雪崩击穿。 一般 Si 衬底溶度在 1E14 到 1E17 变化时， Si 衬底的雪崩击穿场强在 0.2MV ·cm －1－0.6MV·cm －1 变化。若 Si 衬底击穿场强为 0.4MV·cm － 1，则 SiO2 中场强在 1.2MV·CM － 1 时， Si 衬底就击穿。所以，若击穿发生在这个部位，则 MOS 管的击穿和栅氧厚度具有强烈相关性。栅氧厚度 越薄， Si 很容易达到雪崩击穿点，从而造成 MOS 管击穿。 所以，若栅氧较厚，则 PN 结（衬底区域）首先击穿的几率较大，若栅氧薄，则漏区 LDD 部位雪崩击穿 几率较大。 （2 ）B 点（ Ej ）击穿 若在 Ed 没有发生雪崩击穿，一般在栅氧比较厚时是这样的，这时在 B 点就发生击穿，即 PN 结击穿，根 据源漏和衬底溶度关系，击穿点一般发生在衬底。 MOS 管中存在 A 和 B 两个峰值电场点，因此 MOS 管的击穿电压决定于这两个区域的电场，哪个区域电 场首先达到