热平衡态下半导体载流子的统计分布.pptxVIP

1;;处于热平衡状态的载流子n0和p0称为热平衡载流子。数值保持一定，其浓度决定于： ;第3页/共138页;第4页/共138页;第5页/共138页;§3.1 状态密度;状态密度的计算 K 空间的状态密度——k 空间单位体积内的量子态数;;第9页/共138页;;;单位 k 空间允许的状态数为：;波矢k ～ 电子状态的关系;二、半导体导带底附近和价带顶附近的状态密度;球所占的 k 空间的体积为：;;导带底附近单位能量间隔的电子态数—量子态（状态）密度为：;;;价带极大值 ;对Si、Ge、GaAs材料：;称mdp为价带空穴的状态密度有效质量;2. 极值点ko≠0;令：;§3.2 费米能级和载流子的统计分布;—费米分布函数;第27页/共138页;;例：量子态的能量 E 比 EF 高或低 5kT;第30页/共138页;玻尔兹曼分布函数;第32页/共138页;所以，导带底电子满足玻尔兹曼统计规律。;第34页/共138页;热平衡时非简并半导体的载流子浓度no和po;整个导带的电子数N为：;∴ 电子浓度no：;令：;2. 空穴浓度po;;第41页/共138页;二、影响no 和po 的因素;Nc、Nv ～ T;占据EC、EV的几率与T有关;3. EF 位置的影响;浓度积 nopo 及影响因素;在一定的温度下，载流子浓度积与杂质无关;§3.3 本征半导体的费米能级和 载流子浓度;本征半导体的费米能级用Ei 表示，将NC、NV代入：;对于Si、Ge、GaAs材料，：;二、本征载流子浓度及影响因素;说明：一定温度下，任何非简并半导体的 热平衡载流子浓度的乘积n0p0等于 该温度时的本征载流子浓度ni的平方;2. 影响 ni 的因素;三、本征半导体在应用上的限制;●本征载流子浓度随温度变化很大;电子占据 ED 的几率:;若施主浓度和受主浓度分别为 ND、NA， 则施主能级上的电子浓度 nD 为：;受主能级上的空穴浓度 pA 为：;● EF－EA＞＞kT;;二、杂质半导体载流子浓度和费米能级;对 n 型半导体;而本征激发更小，所以空穴浓度po? 0 可忽略。 电中性条件可简化为：;施主部分电离，EF 在ED 附近， EF＞＞EA，受主全电离，;将 nD 代入，并移项后，得：;令;no＜＜NC，kT ln（no/NC）＜0;NA=0;● n0 ～ T 的关系;;● EF ～ T 的关系;T→0K时，NC→0，;T↑，NC↑，dEF/dT↓，说明 EF 随 T 的升高而增大的速度变小了。;当T↑↑，达到 Tmax时：;当T ＞Tmax 后，;;;2. 饱和电离区;∵ (EF)本征≈Ei, ;又∵;;3. 过渡区 （半导体处于饱和区和完全本征激发之间）;;NA=0 ;当ND＞＞ni时: ;当ND＜＜ni时: ;;;P型半导体的载流子浓度和费米能级 ; 4. 本征激发区 ;计算掺杂半导体的载流子浓度时，需首先考虑属于何种温区。;三、工作温区（强电离区）的确定 ;;;一般：D－，达到全电离。 ;室温时：NC=2.8×1019/cm3，△ED;;§3.5 简并半导体 ;;2. EF 位于价带中 ;;EC－ EF ? 2kT，非简并;no=nD+ ;第104页/共138页;当：EF=EC，ξ=0，F1/2 ;简并半导体为重掺杂半导体 ;四、简并半导体中的杂质能级 ;杂质带导电： 杂质能带中的电子通过在杂质原子之间的 共有化运动参加导电的现象。;;●施主能级分裂成能带； ●导带 = 本征导带 + 杂质能带 ●在 EC 附近，gC(E) 明显增加 ;● 电子占据量子态的几率：;● 载流子浓度：;● 本征半导体：;只含ND：;饱和电离区;过渡区;● 饱和电离区的确定;第三章习题;10. 已知：T=300K， ni=2.4×1013/cm3， △ED，Nc=1.05×1019/cm3， D－=10% ;解： ;12. 已知：△ED，D－=10% ， ;;;13. 已知： ND=1015/cm3，△ED ;;或： ;500k时， ;800k时，ni=9×1016(1017)/cm3＞＞ND 材料处于本征 区;14.已知： ;;;15.已知：NA=1022/m3=1016/cm3 T=300K和600K ;; 600K时，ni=8×1015/cm3 ;;21. 试计算掺磷的硅，锗在室温下开始发 　　生弱简并时的杂质浓度为多少？;?＝２