电荷损失补偿的制作方法.docxVIP

PAGE PAGE 1 电荷损失补偿的制作方法 1.实施例涉及存储器装置。一些实施例涉及处理存储器装置的电荷损失和读取干扰效应。背景技术：2.用于计算机或其它电子装置的存储器装置可分类为易失性和非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维持其数据，且包含随机存取存储器(ram)、动态随机存取存储器(dram)或同步动态随机存取存储器(sdram)等。非易失性存储器可在未供电时保持所存储数据，且包含快闪存储器、只读存储器(rom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、静态ram(sram)、可擦除可编程rom(eprom)、电阻可变存储器、相变存储器、存储级存储器、电阻式随机存取存储器(rram)和磁阻随机存取存储器(mram)等。3.快闪存储器用作广范围的电子应用的非易失性存储器。快闪存储器装置通常包含允许高存储器密度、高牢靠性和低功耗的例如浮动栅极或电荷阱存储器单元等晶体管的一或多个群组。4.基于晶体管的存储器装置通过鉴别存储于晶体管中的电荷电平来存储位。如此，维持正确地表示编程到单元中的位的适当的电荷电平是一项持久的挑战。假如电荷电平在编程之后转变到表示不同位值的电荷电平，则可能引入错误。存储器装置的某些操作可能增强存储器单元的电荷电平。举例来说，读取干扰错误可能因为在读取操作期间将vpass电压施加到未选定字线而增强存储器单元中的电荷电平。