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温度对半导体的电压电流影响实验 温度对半导体的电压电流影响实验 PAGE 温度对半导体的电压电流影响实验 实验 温度、光对半导体导电特性的影响 一．实验目的与意义 无论是半导体单晶材料、PN结、还是器件，其电学特性（如：电阻率ρ、I-V曲线、载流子迁移率μ）均受温度、光（辐射）影响，因此，从原理上讲，半导体产品的应用受环境温度、辐射限制大。所以在设计、使用半导体产品时必须考虑环境因素。 通过本实验的学习，加深学生对半导体导电性理论的理解，培养学生自行设计实验方法，实际动手操作，观察现象，进行理论分析的能力。 二．实验原理 1.电阻率的测量： 设样品电阻率ρ均匀，样品几何尺寸相对于探针间的距离可看成半无穷大。引入点电流源的探针其电流强度为I，则所产生的电力线有球面对称性，即等位面是以点电流源为中心的半球面，如图1-1所示。在以r为半径的半球上，电流密度j的分布是均匀的。 Ir图1 I r （1-1） 若E为r处的电场强度，则 (1-2) 取r为无穷远处的电位ф为零，并利用 ，则有： （1-3） （1-4） 式（1-2）就是半无穷大均匀样品上离开点电流源距离r的点的电位与探针流过的电流和样品电阻率的关系式，它代表了一个点电流对距离为r处的点的电势的贡献。 II1 2 3 4 I I 图