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PAGE PAGE 1 电气装置及其制造方法与流程 本藏匿大体上涉及一种电气装置及其创造办法。更明确地说，本藏匿涉及一种包含膜的电气装置及其创造办法。背景技术：在一些电气装置(例如批量声波(baw)滤波器、微电机械系统(mems)等)中，在裸片的中间需要膜(例如谐振器膜)或薄膜。为了避开不利地影响电气装置的性能，膜应从任何其它物理隔离(例如需要用于所述膜的间隙)。然而，这将增强电气装置的大小(例如面积和/或厚度)。技术实现要素：在一或多个实施例中，一种电气装置包含电子组件、膜和盖。所述电子组件具有第一表面和与所述第一表面相对的其次表面。所述电子组件具有腔，其从所述电子组件的所述第一表面延长到所述电子组件中。所述膜安置于所述电子组件的所述腔内。所述盖安置于所述电子组件的所述第一表面上。在一或多个实施例中，一种电气装置包含电子组件和膜。所述电子组件具有第一表面和与所述第一表面相对的其次表面。所述电子组件具有腔，其从所述电子组件的所述第一表面延长到所述电子组件中。所述膜安置于所述电子组件的所述腔内。所述膜具有物理上从所述电子组件隔离的共振部分，以及电衔接到所述电子组件的电极。在一或多个实施例中，一种形成电气装置的办法包含：提供具有多个裸片的第一晶片，每一裸片具有多个导电垫、腔以及在所述腔内的膜；提供具有多个孔的其次晶片；以及将所述第一晶片附接到所述其次晶片，使得所述第一晶片的所述导电垫从所述其次晶片的所述孔裸露。附图解释当结合附图阅读时，从以下具体描述最好地理解本藏匿的各方面。注重，各种特征可能未按比例绘制，且各种特征的尺寸可出于论述的清晰起见而随意增大或减小。图1a解释按照本藏匿的一些实施例的电气装置的横截面图；图1b解释按照本藏匿的一些实施例的电气装置的横截面视图；图2解释按照本藏匿的一些实施例的电气装置的横截面图；图3解释按照本藏匿的一些实施例的电气装置的横截面图；图4解释按照本藏匿的一些实施例的电气装置的横截面图；图5解释按照本藏匿的一些实施例的用于创造电气装置的办法的流程图；图6a、图6b、图6c和图6d解释按照本藏匿的一些实施例的用于创造电子装置的办法；图7解释按照本藏匿的一些实施例的电气装置的横截面图；以及图8a、图8b、图8c、图8d和图8e解释按照本藏匿的一些实施例的用于创造电气装置的办法。贯通图式和具体描述用法共同参考编号来指示相同或相像元件。按照以下结合附图举行的具体描述，本藏匿将更清晰。详细实施方式在下文具体论述本藏匿的各实施例的结构、创造和用法。然而，应了解，各实施例阐述可在广泛多种详细上下文中体现的许多适用的概念。应理解，以下藏匿内容提供实施各种实施例的不同特征的许多不同实施例或实例。下文出于论述的目的描述组件和布置的详细实例。固然，这些只是实例且无意为限制性的。下文用法特定语言来藏匿图中所解释的实施例或实例。然而，将理解，所述实施例或实例无意是限制性的。如相关领域一般技术人员通常将想到，所藏匿的实施例的任何更改和修改以及本文献中所藏匿的原理的任何进一步应用属于本藏匿的范围。另外，本藏匿可在各种实例中重复参考编号和/或字母。此重复是出于简化和清楚的目的，且本身并不规定所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。图1a解释按照本藏匿的一些实施例的电气装置1a的横截面图。电气装置1a包含衬底10、裸片/芯片11和金属盖12。图1b解释按照本藏匿的一些实施例的电气装置1b的横截面图。图1b中的电气装置1b类似于图1a中的电气装置，不同之处在于图1a中的裸片11通过倒装芯片技术衔接到衬底10，而图1b中的裸片11通过线接合技术衔接到衬底10。在一些实施例中，1a所示，裸片11通过通孔11v(例如穿硅通孔(tsv))电衔接到焊料球，且所述焊料球电衔接到衬底10。图1a和1b中的裸片11包含膜11m(或薄膜)。在一些实施例中，膜11m可用于baw谐振器滤波器或mems，以从环境接收或检测起码一个物理信号(例如声音、压力、温度、湿度、气体等)。金属盖12安置于衬底10上，以笼罩裸片11且防止膜11m与其它物体接触。1a和1b所示，归因于衬底10的厚度h、盖12的厚度t和高度j、盖12和衬底10之间的距离ⅰ以及盖和裸片11之间的距离r，图1a和1b中的电气装置1a和1b中的每一者的大小相对较大，这将阻碍电气装置1a和1b的小型化。另外，盖12和导电通孔11v将增强电气装置1a和1b的创造成本。此外，克服电气装置1a和1b的以下问题也具有挑战性：盖附着的工作除气、焊料附着工艺的焊剂污染、薄压电材料上的焊料附着工艺的高应力、归因于大量的空气滞留在盖内部-回焊工艺期间的膨胀而导致的爆米花问题。图2解释按照本藏匿的一些实施例的电气装置2的横截面图