断电时的脏写入的制作方法.docxVIP

  • 2
  • 0
  • 约2.77万字
  • 约 30页
  • 2021-11-22 发布于江苏
  • 举报
PAGE PAGE 1 断电时的脏写入的制作方法 断电时的脏写入 [0001] 交错参考 [0002] 本专利申请案主萨尔帕特瓦里(sarpatwari)等人在2019年8月19日申请的标题为“断电的脏写入(dirty write on power off)”的第16/544,669号美国专利申请案的优先权,所述美国专利申请案被转让给其受让人且以其全文引用方式明确并入本文中。 技术领域 [0003] 技术领域涉及断电时的脏写入。 背景技术: [0004] 下文大体上涉及包含起码一个存储器装置的系统,且更明确来说,涉及增加经历电力循环的环境中的存储器装置性能。 [0005] 存储器装置广泛用于在各种电子装置中存储信息,所述电子装置例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物。信息通过编程存储器装置的不同状态被存储。举例来说,二进制装置无数时候存储通常由规律1或规律0标示的两种状态中的一者。在其它装置中,可存储两种以上状态。为了存取经存储信息,装置的组件可读取或感测存储器装置中的起码一个经存储状态。为了存取信息,装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。 [0006] 存在各种类型的存储器装置,包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mra

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档