模拟电子技术基础答案.pdf

第三部分 习题与解答 习题 1 客观检测题 一、填空题 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓 度则与 温度 有很大关系。 2、当 PN结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。当外加反向电 压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。 3、在 N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。 二．判断题 1、由于 P 型半导体中含有大量空穴载流子， N 型半导体中含有大量电子载流子，所以 P 型 半导体带正电， N 型半导体带负电。 （ × ） 2、在 N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为 P 型半导体。 （ √ ） 3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩 散电流小。 （× ） 4、本征激发过程中， 当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。 （ × ） 5、PN结在无光照无外加电压时，结电流为零。 （ √ ） 6、温度升高时， PN结的反向饱和电流将减小。 （ × ） 7、PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。 （× ） 三．简答题 1、PN结的伏安特性有何特点 V V 答：根据统计物理理论分析， PN结的伏安特性可用式 I D I s (e T 1) 表示。 式中， I D为流过 PN结的电流； I s 为 PN结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等 有关的参数，单位与 I 的单位一致； V 为外加电压； V T=kT/q ，为温度的电压当量（其单位 与 V 的 单 位 一 致 ）， 其 中 玻 尔 兹 曼 常 数 k . 23 J / K 1 38 10 ， 电 子 电 量 19 T q 110 C(库伦 ) V (V ) T ，则 T ，在常温（ T=300K）下， V ==26mV。当外 11594.2 V V 加正向电压，即 V 为正值，且 V 比 VT 大几倍时， eV T 1 ，于是 I I s eV T ，这时正向电流 将随着正向电压的增加按指数规律增大， PN结为正向导通状态 . 外加反向电压， 即 V 为负值， V 且 |V| 比 VT 大几倍时， e V T 1 ，于是 I I s ，这时 PN结只流过很小的反向饱和电流，且数 值上基本不随外加电压而变， PN结呈反向截止状态。 PN结的伏安特性也可用特性曲线表示， 如图 1.1.1 所示 . 从式伏安特性方程的分析和图特性曲线（实线部分）可见：