电力电子技术汇总题库.pdfVIP

.\ 南通大学 电气工程学院 电力电子技术 题 库 .\ 第二章 电力电子器件 一、填空题 1、若晶闸管电流有效值是 157A，则其额定电流为 100A 。若该晶闸管阳、阴间电 压为 60sinwtV ，则其额定电压应为 60V 。（不考虑晶闸管的电流、 电压安全裕量。） 2、功率开关管的损耗包括两方面，一方面是 导通损耗 ；另一方是 开关损耗 。 3、在电力电子电路中，常设置缓冲电路，其作用是 抑制电力电子器件的内因过 电压、du/dt 或者过电流和 di/dt ，减小器件的开关损耗 。 4 、缓冲电路可分为 关断缓冲电路 和开通缓冲电路 。 5、电力开关管由于承受过电流，过电压的能力太差。所以其控制电路必须设有 过流 和过压 保护电路。 二、判断题 1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。 （ √ ） 2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为 500V，反向重复峰值电压为 700V，则该 晶闸管的额定电压是 700V。（ × ） 3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。 （ × ） 4 、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。 （ √ ） 5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后，去掉门极触发信号，晶闸管级能维护 导通。 （ × ） 6、在 GTR的驱动电路设计中，为了使 GTR快速导通，应尽可能使其基极极驱动 电流大些。 （ × ） 7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管；而电力场效应晶体管和绝 缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。 （ √ ） 8、IGBT 相比 MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。 （ × ） 9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。 （ × ） 10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。 （ √ ） 三、选择题 1、下列元器件中， （ BH ）属于不控型， （ DEFIJKLM）属于全控型 , （ ACG ）属 于半控型。 A、普通晶闸管 B 、整流二极管 C 、逆导晶闸管 D 、大功率晶体管 E、绝缘栅场效应晶体管 F 、达林顿复合管 G 、双向晶闸管 H 、肖特基二极管 I 、可关断晶闸管 J 、绝缘栅极双极型晶体管 K 、MOS控制晶闸管 L、静电感应晶闸管 M 、静电感应晶体管 2、下列器件中， （ c ）最适合用在小功率，高开关频率的变换器中。 A、GTR B、IGBT C 、MOSFET D、GTO 3、开关管的驱动电路采用的隔离技术有（ ad ） A、磁隔离 B、电容隔离 C、电感隔离 D、光耦隔离 四、问答题 1、使晶闸管导通的条件是什么？ 答：晶闸管承受正向阳极电压， 并在门极施加触发电流或 脉冲 （uak＞0且ugk＞0）。