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CEPC CMOS 硅像素探测器研制 朱宏博（⾼能所） 核探测与核电⼦学国家重点实验室2015年年会 中国科学技术⼤学， 2015年4 ⽉11-12 ⽇ 提纲 • 项⺫背景 • CMOS 硅像素探测原理及应⽤ • CMOS 硅像素探研制⼯作进展 • ⼩结 中科院⾼能物理研究所 CEPC CMOS 硅像素探测器研制，朱宏博 2 项⺫背景 • ⾼能环形正负电⼦对撞机（CEPC）内层顶点探测器，对于重味夸克重建与分 辨⾄关重要（如测量Higgs衰变分⽀⽐），要求横向碰撞参数精度： 10 r = 5 µm (p · sin3/2 ✓) • CEPC顶点探测器拟采⽤三层双⾯结构，主要技术指标如下： • 最内层像素探测器空间分辨率优于3µm • 物质量（包括传感器、电⼦学、冷却和机械⽀撑等）每层单⾯⼩于0.15% →