评估RF-LDMOS器件重要参数解析.pdfVIP

测试工具与解决方案 2015.19 评估RF-LDMOS器件重要参数解析 李树琪 （苏州远创达科技有限公司，江苏苏州，215123） 摘要：RF-LDMOS 器件作为射频功率器件在目前的高频放大领域占据了很大的市场，从而评估这种器件的参数也变得非常重 要。其作为场效应管的直流特性参数，电容特性参数以及高频应用领域的射频性能参数直接关系到对于 RF-LDMOS 器件是否优 良的判断以及是否能够在高频应用场合胜任的重要参考。 关键词 ：RF-LDMOS器件；直流特性；电容特性；射频性能 Analyzing important parameters about evaluated RF- LDMOSdevice Li Shuqi （Innogration Suzhou Co. Ltd.Jiangsu Suzhou，215123） Abstract ： As a RF power device,RF-LDMOS device is the popular device in high frequency amplifier market， so how to evaluate the device is very important.Its DC characteristic,Capacitance characteristic RF performance in high frequency application directly related to judgment for a RF-LDMOSdevice,and whether it can hand in high frequency applications up to the important reference. Keywords ： RF-LDMOS device; DC characteristic;Capacitance characteristic;RF performance 0 引言 20 世纪 90 年代，随着移动通信的发展，用于射频基站作为 射频放大器核心的射频功率器件也被要求具有更强大的性能。当 时以 Freescale 公司为代表的一些国外的大公司投入巨大的人 力物力和财力对 RF-LDMOS 器件进行了研究，而 RF-LDMOS 器件的 线性动态范围大、线性增益高和输出功率大等突出优点使其迅速 的占领了市场，目前 Freescale 公司的 Air fast 系列和 NXP 公 司的第 8 代产品已经相继问世成熟，并占有这巨大的市场份额， RF-LDMOS 器件的漏端高掺杂浓度区和外延层所形成的 国内在 RF-LDMOS 器件民用领域进展相对缓慢，对于 RF-LDMOS P-epi N+ 结是一个 Resurf 结构的二极管，其存在能有效的提高 器件的研究和开发更加迫切。能够很好的了解和分析评估 RF- 器件的表面电场电压耐受能力。 LDMOS器件的重要参数，对于我们也有着重要而且现实的意义。 法拉第屏蔽层的使用是 RF-LDMOS 器件有别于其他结构 MOS 的地方，正是使用了法拉第屏蔽层使得器件表面的电场更加平 1 RF-LDMOS器件的结构 缓，反馈电容更加小，以及阈值电压的漂移更加的稳定。 RF-LDMOS 器件是一种有着独特非对称结构的 n 型沟道的 当然不管 RF-LDMOS 器件的结构和技术如何的更新和演进， MOSFET 器件，剖面结构如图