氮化镓_美国和韩国联手实现带有多层金属层的AlGaN_GaN HFET，显著提升性能.pdfVIP

我的图书馆 【原】氮化镓 |美国和韩国联手实现带有多层金属 层的A lGaN/GaN HFET，显著提升性能 2020-09-11 大国重器... 阅 40 美国休斯顿大学、韩国国立顺天大学、韩国全北国立大学和LG电子的研究人员 联合使用多层金属化对硅基铝镓氮/氮化镓（AlGaN/GaN ）异质结场效应管 （HFET ）进行了改进。与相同器件大小的传统单金属层HFET相比，该多层金属 GaN HFET获得更大沟道电流，在高漏极偏置电压下电流减少得更少。 背景 宽禁带材料GaN能够增加载流子饱和速度、移动性和密度，以及实现更高击穿电 压的临界电场。研究人员愿景是使用GaN晶体管替代现有功率电子应用中的纯硅器 件，并希望通过使用大直径硅衬底及增加器件密度来提高晶圆利用率，以此降低成 本。为此，研究人员希望能通过“硅基半导体产业中发展已非常成熟的多层金属化 思路”来增加单个晶圆上芯片的数量。  结构 Ⅲ-氮异质结构（如图1所示）通过金属有机物化学气相沉积（MOCVD ）生长 在直径为1 50mm的硅上。除了器件的栅极区域，顶层p-GaN层通过选择性电感耦 合等离子反应离子刻蚀移除。更多刻蚀产生器件隔离平台区域。源/漏电极由退火的 钛/铝/钯/金（Ti/Al/ Pd/Au ）组成，栅电极是镍/金（Ni/Au ）。使用等离子体增强 化学汽相沉积（PECVD ）氮化硅使表面状态钝化。 图 Ⅲ-氮异质结构 工艺过程 第一层金属由Ti/Al在刻蚀后沉积而成，通过在氮化硅上的孔来实现与器件的导 通，如下图所示。之后使用光敏聚酰亚胺（PSPI ）作为金属层之间的隔离。金属间 介质（IMD ）以每分钟3000转的速度旋转涂抹到晶圆上，并以120摄氏度的温度软 烘烤（soft-baked ）3分钟。该材料使用水晶灯365nm i-line UV光制造图形和通 孔。之后是140摄氏度硬烘烤3分钟，以及在氮气氛围320摄氏度下固化100分钟。 第二层金属是沉积在IMD上的Ti/Al线，通过导通孔互连。其上再放置一层IMD ，并 制出通孔。对最后一层IMD层使用氧等离子体来改进IMD和最后的Ni/Ti/Au源、栅 和漏键和区的附着性。 图 带有多层金属AlGaN/GaN HFET示意图 优势 研究人员评论道：“在这种结构中，芯片的尺寸要显著小于传统器件， 尺寸小 因为键和区直接落在最顶层的有源器件区域”。 常关型多层金属GaN HFET晶体管阈值电压是0.8V ，6V栅极 漏极 电压和4V漏极偏置电压下，最大漏极电流是46.3A （如图 电流大 3 ）。而传统HFET在使用同样偏置的情况下，最大漏极电流 是18.4A。研究人员解释道：“在与输出功率相关的最大漏极电流方面，多层金属 HFET要高出240% ，是因为多层金属HFET能够在相同芯片面积基础上增加有源区 尺寸”。 在0V栅极电压和600V漏极偏置电压下，多层金属GaN HFET电流泄露 击穿电 是92μA。500μA泄露电流的击穿电压是635V ，这低于有同样芯片大小 压低 的传统HFET的670V击穿电压。 如果芯片大小同样都是5mm×5mm ，传统HFET栅宽是 栅宽 250800μm(2200μmx114) ，多层金属GaN HFET栅宽是590806μm (4409μmx134)。 大 随着漏极偏置电压增加到10V ，自加热效应在6V栅极电压的情况下，分 散热 别将多金属层HFET和传统HFET的漏极电流减少14.07%和8.09%。自加