射频大功率器件TRL校准件的设计与制作.pdfVIP

电 子 科 学 技 术 电 子 科 学 技 术 Electronic Science Technology 22 00 11 66 年年 第第 00 44 期期 第 0 3 卷 第 0 4 期 2 0 1 6 年 7 月 Electronic Science Technology Vol.03 No.04 Jul.2016 射频大功率器件TRL校准件的设计与制作 李树琪 （苏州远创达科技有限公司，江苏苏州，215000） 摘 要： 以LDMO S 横 向扩散金属氧化物半导体 为代表 的射频大功率器件 已经在民用通信市 场以其优异的性能和低廉 的价格应用越来越广泛 对于这种射频大功率器件 的器件水平和 能力 评估也越来越受到应用的关注本文基于负载牵引系统采用简单便捷 以及可重复使用的理 念 使用常规 的微带线阶梯型阻抗变换器 电路为基础 充分考虑在应用测试 中的偏置 电路 进 行前期使用AD S A dv an ced D esign Sy st em 仿真加后期验证 设计制造 了低耗无 串扰 的TRL Th ou gh R efl ect ed D el ay 校准件 为测试得到射频大功率器件 的射频性能奠定 了优异的基 础 关键词： TRL 微带线AD S仿真低耗无串扰 中图分类号： TN454 文献标识码： A 文章编号： 2095-8595 (2016) 04-394-05 电子科学技术 URL : http//www.chin a-est .com .cn DOI : 10 .16453/j .issn .2095-8595.20 16.04 .006 The Design and Manufacture of RF High Power Devices TRL Calibration Kits Shuqi Li (Innogration Suzhou Co. Ltd, Suzhou, Jiangsu, 215000 , China ) Abstract: In LDMOS (lateral diffusion of metal oxide semiconductor) as the representative of RF high power devices already in the civilian communications market with its superior performance and low price application is more and more widely, the performance and ability of the RF high power device for evaluation of also more and more get the attention of application. In this thesis, based on the load-pull system, the use of simple, convenient and r