IRF540中文数据手册.pdf

. IRF540 N 沟道 MOS 管 特性 ‘Thrench ’工艺 低的导通内阻 快速开关 低热敏电阻 综述 使用沟渠工艺封装的 N 通道增强型场效应功率晶体管 应用： DC 到 DC 转换器 开关电源 电视及电脑显示器电源 IRF540 中提供的是 SOT78(TO220AB) 常规铅的包裹。 IRF540S 中提供的是 SOT404(D PAK) 表面安装的包裹。 管脚 管脚 描述 1 Gate 2 Drain 3 Source Tab Drain 极限值 系统绝对最大值依照限制值 符号 参数 条件 最小值 最大值 单位 V_DSS 漏源极电压 Tj= 25 ?C to 175 ?C - 100 V V_DGR 漏门极电压 Tj = 25 ?C to 175 ?C; - 100 V . . V_GS 门源极电压 RGS = 20 k ? - ±20 V I_D 连续漏电流 - 23 A Tmb = 25 ?C; VGS = 10 V - 16 A I_DM 脉冲漏电流 Tmb = 100 ?C; VGS = 10 V - 92 A P_D 总功耗 Tmb = 25 ?C - 100 W Tj ，Tsig 操作点和 Tmb = 25 ?C -55 175 ℃ 存储温度 雪崩能量极限值 符号 参数 条件 最小值 最大值 单位 非 重 复 性 雪 Unclamped inductive load, IAS = 10 A; - 230 mJ EAS 崩能量 tp = 350 s; Tjμ prior to avalanche = 25?C; 最 大 非 重 复 VDD ≤ 25 V; RGS = 50 ?; VGS = 10 V; - 23 A IAS 性雪崩电流 refer to fig:14 热敏电阻 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 安 装 底 座 交 界 - - 1.5 K/W R thj mb 处的热阻 周围环境热阻 SOT78 封装，自由空间 - 60