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多晶制绒原理及异常处理 第一页，共17页。 多晶制绒原理 一、制绒的化学反应原理 Si+2HNO3=SiO2+H2O+NOX SiO2 +6HF=H2[SiF6]+2H2O 二、酸腐蚀法制备绒面的基本原理 硅片在切割过程中表面留有大约10-20μm的钜后损伤层，对制绒有很大的影响，因此在制绒前将其除去； 目前广泛使用的酸腐蚀溶液是以HF、HNO3为基础的水溶液体系，其基理为HNO3给硅表面提供空穴，打破了硅表面的Si2H健，使Si氧化为SiO2，然后HF溶解SiO2 ，并生成络合物H2[SiF6]。从而导致硅表面发生各向同性非均匀性腐蚀，形成的粗糙的多空硅层，有利于减少光反射，增强光吸收表面，为了控制化学反应的剧烈程度，有时还加入一些其他的化学药品。酸对硅的腐蚀速度与晶粒取向无关，为此酸腐蚀又称为各向同性腐蚀。 第二页，共17页。 多晶制绒原理-各槽体的作用介绍 制绒槽：现在使用的rena设备上料后直接进入制绒槽，制绒槽中硝酸将硅表面氧化为二氧化硅；氢氟酸将二氧化硅腐蚀掉。 碱洗槽：利用碱液洗除多空硅（酸腐蚀易在多晶硅表面形成一层彩色均匀的多空硅膜，这个多空硅膜具有极低的反射系数，但是它不利于p-n结的形成和印刷电极，所以，一般使用稀释的碱液来去除这层多空硅膜）。 酸洗槽：利用盐酸和氢氟酸洗除杂志金属离子和进一步去除硅表面残留的二氧化硅，易于吹干。 在设备中硅片进过槽体的顺序：