浙江大学 - 电驱动产品可靠性开发的趋势.pdfVIP

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2021-11-27 发布于湖北
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浙江大学 - 电驱动产品可靠性开发的趋势.pdf

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电驱动产品可靠性开发的趋势苏楠博士浙江大学滨江研究院目录 • 新结构、新工艺、新材料增加可靠性风险 • “软件驱动汽车”背景下的电驱动可靠性开发模式变化 2 典型电驱动设计架构 Mode l3 动力总成 3 新结构、新工艺、新材料与电控单元可靠性 • S iC-Mosfet 首次故障时长 • 晶圆级封装（WLP） MTTF • 覆晶晶片技术潜在失效模式判定 • SIP封装量产件失效率潜在可靠性问题性能退化率 • 3D封装失效机理复杂 • 低介电常数介质材料热可靠性降低 • 芯片倒装。。。 • 无铅焊料应用 • 4 BGA技术迭代经典BGA结构 TBGA结构 BGA可靠性设计的要点 1、SMT工艺对So lder Ball可靠性的影响 2、散热设计 3、元器件分布设计 4、Coffin-mansion方程的应用边界 5、SAC与SnPb在可靠性分布上的区别倒装芯片（Flip Chip）是一种贴在基板上的 6、凸点热匹配设计芯片，其活性表面面向基板。 5 失效现场内部交流 6 IGBT 可靠性设计 - 电动汽车及充电桩等设备的核心技术部件 - 占电动汽车成本将近10%，占充电桩成本约20% - IGBT热可靠性问题，是汽车电子里的一个热点问题 IGBT结构 IGBT热可靠性分析流程：整车寿命定义：如8年或 30万公里控制器使用工况分析：高速、爬坡、额定工况比例，计算控制器实际运行时长 IGBT运行时长计算 IGBT寿命曲线--制造厂如Infineon提供