匹配问题;中心思想:
使所有的东西尽量理想,使要匹配的器件被相同的因素以相同的方式影响;1.在处理匹配性要求高的对管(如差分输入对管)时,采用交叉对称的结构比较好。下图为晶体管交叉对称 。;;如果周边环境不同,会使工艺中的刻蚀率不同,比如:线宽大,刻蚀率大,刻蚀的快。刻蚀的快慢会影响线电阻等电学参数。
尺寸较大的管子被拆成小管子并联时,要在两端的小管的栅旁加上dummy gate,这样可以保证比较精确的电流匹配。
而且这种dummy gate的宽度可以比实际的栅宽小。
各个小管??的gate 最好用metal联起来,如果用poly连会引起刻蚀率的偏差。
;dummy器件;虚拟器件(dummy Element);电阻的匹配;电阻的匹配;电阻的匹配;共质心版图;电阻的匹配;电容的匹配;采用匹配方式的相对精确度 ;MOS管阵列的实现;MOS管阵列的实现;MOS管阵列的实现;常用版图设计技巧;常用版图设计技巧;常用版图设计技巧;常用版图设计技巧;常用版图设计技巧;CMOS放大器;CMOS放大器;CMOS放大器;模拟集成电路版图设计部分经验;模拟集成电路版图设计部分经验;封装形式;封装;封装;Package-to-Board Interconnect;压焊(Bonding);倒装焊;封装参数;封装中的问题;封装中的问题;封装中的问题;封装中的问题;封装中的问题;芯片尺寸估计;芯片尺寸估计
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