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MOS 管驱动电流的估算
第一种 :
可以使用如下公式估算：
Ig=Qg/Ton
其中：
Ton=t3-t0 ≈td(on)+tr
td(on) ：MOS导通延迟时间，从有驶入电压上升到 10%开始到 VDS下降到其幅值 90%的时间。
Tr ：上升时间。输出电压 VDS从 90%下降到其幅值 10%的时间
Qg= （CEI ）(VGS)或 Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在 datasheet 中找到）
第二种： （第一种的变形）
密勒效应时间（开关时间） Ton/off=Qgd/Ig ；
Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg ；
Ig ：MOS栅极驱动电流； Vb：稳态栅极驱动电压；
第三种：
以 IR 的 IRF640 为例，看 DATASHEET里有条 Total Gate Charge 曲线。该曲线先上升然后几乎水平再上升。水平那段
是管子开通（密勒效应）假定你希望在内使管子开通，估计总时间（先上升然后水平再上升）为，由 Qg=67nC和可得：
67nC/=0.1675A ，当然，这是峰值，仅在管子开通和关短的各里有电流，其他时间几乎没有电流，平均值很小，但如果
驱动芯片不能输出这个峰值，管子的开通就会变慢。
主要内容转自 世纪电源网
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