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半导体名词解释 1. 何谓 PIE? PIE 的主要工作是什幺 ? 答： Process Integration Engineer( 工艺整合工程师 ), 主要 工作是整合各部门的资源 , 对工艺持续进行改善 , 确保产品的良率（ yield ）稳 定良好。 2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义 ? 答：8 吋硅片 (wafer) 直径为 200mm, 直径为 300mm硅片即 12 吋 . 3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少 mm的硅片 (wafer) 工艺？未来北 京的 Fab4( 四厂) 采用多少 mm的 wafer 工艺？ 答：当前 1~3 厂为 200mm(8 英寸 ) 的 wafer, 工艺水平已达 0.13um 工艺。未来北京厂工艺 wafer 将使用 300mm(12英寸 ) 。 4. 我们为何需要 300mm? 答： wafer size 变大，单一 wafer 上的芯片数 (chip) 变多， 单位成本降低 200 →300 面积增加 2.25 倍 , 芯片数目约增加 2.5 倍 5. 所谓的 0.13 um 的工艺能力 (technology) 代表的是什幺意义？ 答：是指工厂的工艺能力可以达到 0.13 um 的栅极线宽。当栅 极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。 6. 从 0.35um-0.25um-0.18um-0.15um-0.13um 的 technology 改变又代表 的是什幺意义？ 答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低） 做的越小时，工艺的难度便相对提高。从 0.35um - 0.25um - 0.18um - 0.15um - 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。 7. 一般的硅片 (wafer) 基材 (substrate) 可区分为 N,P 两种类型（ type ）, 何谓 N, P-type wafer? 答： N-type wafer 是指掺杂 negative 元素 (5 价电荷元素， 例如： P、As) 的硅片 , P-type 的 wafer 是指掺杂 positive 元素 (3 价电荷元 素 , 例如： B、In) 的硅片。 8. 工厂中硅片（ wafer ）的制造过程可分哪几个工艺过程 (module) ？ 答：主要有四个部分： DIFF （扩散）、TF( 薄膜 ) 、 PHOTO（光 刻）、 ETCH（刻蚀）。其中 DIFF 又包括 FURNACE(炉管 ) 、WET(湿刻 ) 、IMP(离 子 注入 ) 、RTP(快速热处理 ) 。TF包括 PVD(物理气相淀积 ) 、 CVD(化学气相淀积 ) 、CMP(化学机械研磨 ) 。硅片的制造就是依据客户的要求， 不断的在不同工艺过程（ module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的 测试，确保产品良好。 9. 一般硅片的制造常以几 P 几 M 及光罩层数 (mask layer) 来代表硅片工艺的 时间长短，请问几 P 几 M及光罩层数 (mask layer) 代表什幺意义？ 答：几 P 几 M代表硅片的制造有几层的 Poly( 多晶硅 ) 和几层的 metal( 金属导线 ). 一般 0.15u