三极管及场效应管原理及参数.docxVIP

晶体三极管 、三极管的电流放大原理 晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：楮管和硅管。而每一种又有 NPN和PNP两种结构形式, 口电区 建电站M地工小发WK口融但使用最多的是硅 NPN和 口电区 建电站 M地 工小 发WK 口融 ―?上而总靠裁袁广林 劫才I闰 永怩旗力fl 图1、晶体三极管（NPN的结构 图一是NPN管的结构图，它是由2块N型半导体中间夹着一块 P型半导体所组成，从图可见发射区与基区 之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的 PN结称为集电结，三条引线分别称为发射极 e、基极b 和集电极。 当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而 C点电位高于b点电位几伏时，集电结处 于反偏状态，集电极电源 Ec要高于基极电源Eboo 在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控 制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流 子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的 电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流 Ie o 由于基区很薄，加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流 Ic , 只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源 Eb重新补纪念给， 从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得： Ie=Ib+Ic 这就是说，在基极补充一个很小的 Ib ,就可以在集电极上得到一个较大的 Ic ,这就是所谓电流放大作用， Ic与Ib是维持一定的比例关系，即： 0 1=Ic/Ib 式中：0 --称为直流放大倍数， 集电极电流的变化量△ Ic与基极电流的变化量△ Ib之比为： 0 = AIc/ AIb 式中B--称为交流电流放大倍数，由于低频时 0 1和0的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者 不作严格区分，0值约为几十至一百多。 三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大 作用。 二、三极管的特性曲线 1、输入特性 图2 （b）是三极管的输入特性曲线， 它表示Ib随Ube的变化关系，其特点是：1）当Uce在0-2伏范围内, 曲线位置和形状与 Uce有关，但当Uce高于2伏后，曲线Uce基本无关通常输入特性由两条曲线 （I和口） 表7K即可。 2）当Ube UbeR时，Ib =0称（0?UbeR）的区段为“死区”当 UbeUbeR时，Ib随Ube增加而增加，放大 时，三极管工作在较直线的区段。 3)三极管输入电阻，定义为： rbe=( AUbe/AIb)Q点，其估算公式为： rbe=rb+( 0+1)(26 毫伏/Ie 毫伏) rb为三极管的基区电阻，对低频小功率管， rb约为300欧。 2、输出特性 输出特，卜iE表示Ic随Uce的变化关系(以Ib为参数)从图2 (C)所示的输出特性可见，它分为三个区域： 截止区、放大区和饱和区。 截止区 当Ube0时，则Ib -0,发射区没有电子注入基区，但由于分子的热运动，集电集仍有小量电流 通过，即Ic=Iceo称为穿透电流，常温时Iceo约为几微安，楮管约为几十微安至几百微安，它与集电极反 向电流Icbo的关系是： Iceo=(1+ 0 )Icbo 常温时硅管的Icbo小于1微安，楮管的Icbo约为10微安，对于楮管，温度每升高 12C, Icbo数值增加 一倍，而对于硅管温度每升高 8C, Icbo数值增大一倍，虽然硅管的Icbo随温度变化更剧烈，但由于楮管 的Icbo值本身比硅管大，所以错管仍然受温度影响较严重的管， 放大区，当晶体三极管发射结处于正偏而 集电结于反偏工作时，Ic随Ib近似作线性变化，放大区是三极管工作在放大状态的区域。 饱和区 当发射结和集电结均处于正偏状态时， Ic基本上不随Ib而变化，失去了放大功能。根据三极管发 射结和集电结偏置情况，可能判别其工作状态。 图2、三极管的输入特性与输出特性 截止区和饱和区是三极管工作在开关状态的区域，三极管和导通时，工作点落在饱和区，三极管截止时， 工作点落在截止区。 三、三极管的主要参数 1、直流参数 (1)集电极一基极反向饱和电流 Icbo ,发射极开路(Ie=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压 Vcb 时的集电极反向电流， 它只与温度有关，在一定温度下是个常数， 所以称为集电极一基极的反向饱和电流。 良好的三极管，Icbo很小，小功率楮管的Icbo约为1?10微安，大功率楮管的Icbo可达数毫安，而硅管 的Icbo则非常小，是毫微安级。 (2)集电极一发射极反向电流 Iceo(穿透电流)基极开路(Ib=0)时，集