电子技术-新型SMU克服低电流容性设置（图文）.pdfVIP

新型 SMU 克服低电流容性设置的棘手测试挑战  在测试设置中使用长电缆或容性卡盘时，测试仪器输出的电容会提高， 导致测量不准确或不稳定，尤其是非常灵敏的弱电测量，因为它同时还要提供或 扫描 DC 电压。 在测试设置中使用长电缆或容性卡盘时，测试仪器输出的电容会提高，导致 测量不准确或不稳定，尤其是非常灵敏的弱电测量，因为它同时还要提供或扫描 DC 电压。为解决这些挑战，泰克科技旗下公司吉时利为Keithley 4200A-SCS 推出了两种新的源测量单元 (SMU)模块，即使在高测试连接电容的应用中，仍能 进行稳定的弱电测量。 由于设计人员不断降低电流电平以节约能源，这个测量挑战正不断增长，大 型 LCD 面板测试正是这种情况，这些面板最终将用于智能手机或平板电脑中。可 能存在高电容测试连接问题的其他应用包括：卡盘上的纳米 FET I-V 测量，采 用长电缆的 MOSFET 的传递特点，通过开关矩阵的FET 测试，电容器泄漏测量。 支持的电容提高了 1000 倍 与其他灵敏的 SMU 相比，新推出的 Keithley 4201-SMU 中等功率SMU 和 4211-SMU 高功率SMU (选配4200-PA 前置放大器)大幅度提高了最大负载电容指 标。在支持的最低电流范围上，4201-SMU 和 4211-SMU 可以供电和测量的系统电 容要比当今系统高 1,000 倍。例如，如果电流电平在 1 ~ 100 pA 之间，那么 吉时利模块可以处理最高 1 µF (微法拉)的负载。相比之下，最大负载电容竞 品在这种电流电平下，在测量准确度劣化前只能容忍 1,000 pF。 这两种新模块为面临这些问题的客户提供了重要解决方案，节省了原来的调 试时间，节约了重新配置测试设置以消除额外电容的费用。在测试工程师或科研 人员注意到测量错误时，他们首先必须找到错误来源。这本身就要花费数小时的 工作，他们通常必须考察许多可能的来源，然后才能缩小范围。一旦发现测量错 误源自系统电容，那么他们必须调节测试参数、电缆长度，甚至重新安排测试设 置。这离理想状态相去甚远。 那么最新 SMU 模块在实践中是怎样工作的呢？我们看一下平板显示器和纳 米 FET 研究中的几个关键应用。 实例 1：平板显示器上的 OLED 像素驱动器电路 OLED 像素驱动器电路印刷在平板显示器上 OLED 器件旁边。为测量其 DC 特 点，通常会通过开关矩阵把它连接到 SMU 上，然后再使用 12-16 米长的三同轴电 缆连接到 LCD 探测站上。由于连接需要非常长的电缆，所以弱电测量不稳定很常 见。在使用传统 SMU 连接 DUT （如下图所示）进行测量时，这种不稳定性在OLED 驱动器电路的两条 I-V 曲线，也就是饱和曲线(橙色曲线)和线性曲线 (蓝色曲线) 中立显。 使用传统 SMU 测量的 OLED 的饱和和线性 I-V 曲线。 但是，在使用 4211-SMU 在 DUT 的漏极端子上重复这些 I-V 测量时，I-V 曲 线是稳定的，如下图所示，问题解决了。 使用吉时利最新 4211-SMUs 测得的 OLED 的饱和和线性 I-V 曲线。 实例 2：拥有公共栅极和卡盘电容的纳米 FET 纳米 FETs 和 2D FETs 测试需要使用一个器件端子，通过探测站卡盘接触 SMU。卡盘的电容可能高达几毫微法拉，在某些情况下，可能必需在卡盘顶部使 用传导连接盘来接触栅极。同轴电缆增加了额外的电容。为评估最新 SMU 模块， 我们把