2018-2019年物质结构与性质专题.docxVIP

37.［化学一一选修3:物质结构与性质］(15分)2018 氮化硼(BN是一种重要的功能陶瓷材料。以天然硼砂为起始物，经过一系列反应可以 得到BF3和BN,如下图所示： CaF2f H2SO4 f— K △ NHj 高温 请回答下列问题： 由RQ制备BR、BN的化学方程式依次是 基态B原子的电子排布式为 中B元素的化合价为 ； 在BF3分子中，F-B-F的建角是 ，B原子的杂化轨道类型为 量NaF作用可生成NaBF，BF4的立体结构为 在与石墨结构相似的六方氮化硼晶体中，层内 ，层间作用力为 ； 六方氮化硼在高温高压下，可以转化为立方氮化硼，其结构与金刚石相似，硬度与金 刚石相当，晶胞边长为 361.5pm。立方氮化硼晶胞中含有 个氮原子、 个硼原子，立方氮化硼的密度是 g- cm -3 (只要求列算式，不必计算出数值， 阿伏伽德罗常数为 NA)。 37.【化学一一选修 3物质结构与性质】(15分)2018 VIA 族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现出多种氧化态，含 VIA族元 素的化合物在研究和生产中有许多重要用途。请回答下列问题： (1)S 单质的常见形式为 S8,其环状结构如下图所示， S原子采用的轨道杂化方式是 、 ? B和N相比，电负性较大的是 ,BN ,BF3和过 ? B原子与N原子之间的化学键为 原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子 TOC \o 1-5 \h \z 所需要的最低能量， O S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为 ; Se 原子序数为 ，其核外M层电子的排布式为 ; ⑷H 2Se的酸性比 H2S (填“强”或“弱”)。气态 SeO分子的立体构型为 , SO2离子的立体构型为 ； (5)H 2SeO的K1和K2分别为2.7 X 10」和2.5 X 10」,HSeO第一步几乎完全电离， K2为 一 2 1.2 X 10 ，请根据结构与性质的关系解释： ①H2SeQ和HzSeQ第一步电离程度大于第二步电离的原因： ②H2SeQ比HbSeQ酸性强的原因： ⑹ZnS在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。立 方ZnS晶体结构如下图所示，其晶胞边长为 540.0 pm，密度为 (歹卩式并计算 ), 37.［化学一选修3:物质结构与性质］(15分)2018 硅是重要的半导体材料，构成了现代电子工业的基础。请回答下列 问题： 基态Si原子中，电子占据的最高能层符号为 ，该能层具有的原子轨道 数为 、电子数为 。 硅主要以硅酸盐、 等化合物的形式存在于地壳中。 单质硅存在与金刚石结构类似的晶体，其中原子与原子之间以 相结 合，其晶胞中共有 8个原子，其中在面心位置贡献 个原子。 单质硅可通过甲硅烷(SiH4)分解反应来制备。工业上采用 MgSi和NHCI在液氨 介质中反应制得 SiH4，该反应的化学方程式 为 。 (5)碳和硅的有关化学键键能如下所示，简要分析和解释下列有关事实: 化学键 C— C C— H C- O Si — Si Si — H Si — O 键能/(kJ?mol -1 356 413 336 226 318 452 ①硅与碳同族，也有系列氢化物，但硅烷在种类和数量上都远不如烷烃多，原因 ②SiH4的稳定性小于 CH,更易生成氧化物，原因是 (6)在硅酸盐中，SiO4-四面体(如下图(a))通过共用顶角氧离子可形成岛状、链状、 层状、骨架网状四大类结构型式。图( b)为一种无限长单链结构的多硅酸根，其中 Si原子的杂化形式为 ，Si与0的原子数之比为 ，化学式 为 。 37.【化学一选修3:物质结构与性质】(15分)2018 早期发现的一种天然二十面体准晶颗粒由 Al、Cu Fe三种金属元素组成。回答下列 问题： TOC \o 1-5 \h \z 准晶是一种无平移周期序，但有严格准周期位置序的独特晶体，可通过 方 法区分晶体、准晶体和非晶体。 基态Fe原子有 个未成对电子，Fe3+的电子排布式为 。可用硫氰 化钾检验，Fe3+,形成的配合物的颜色为 。 新制备的Cu(OH) 2可将乙醛(CHCHO氧化为乙酸，而自身还原成 CxO,乙醛中碳 原子的杂化轨道类型为 , 1mol乙醛分子中含有的 键的数目为 一 乙 酸的沸点明显高于乙醛，其主要原因是 。CiiO 为半导体材料，在其立方晶胞内部有则该晶胞中有 个铜原子。 为半导体材料，在其立方晶胞内部有 则该晶胞中有 个铜原子。 AI 单质为面心立方晶体，其晶胞参数 为 。列式表示AI单质的密度 4个氧原子，其余氧原子位于面心和顶点， a = 0.405nm,晶胞中铝原子的配位数 g ? c