MOSFET的短沟道效应归纳.pdfVIP

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2021-12-02 发布于江苏
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MOSFET的短沟道效应归纳.pdf

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MOSFET 的短沟道效应 3 第 8 章 MOSFET 的短沟道效应 MOSFET的沟道长度小于 3um时发生的短沟道效应较为明显。短沟道效应是由以下五种因素引起的，这五种因素又是由于偏离了理想按比例缩小理论而产生的。它们是：（1）由于电源电压没能按比例缩小而引起的电场增大；（2）内建电势既不能按比例缩小又不能忽略；（3）源漏结深不能也不容易按比例减小；（4 ）衬底掺杂浓度的增加引起载流子迁移率的降低；（5）亚阈值斜率不能按比例缩小。（A ）亚阈值特性我们的目的是通过 MOSFET的亚阈值特性来推断阈值电压到底能缩小到最小极限值。对于长沟道器件而言，亚阈值电流由下式给出 W V V V 2 G S T D S I D n C d V t exp 1 exp (8.1) L V V t t 也可以写成如下的形式 1 W V V V 2 G S T D S I D n C d V t exp 1 exp L V V t t V V GS D S I D 0 exp 1 exp (8.2) V V t t 式中的 C d 为单位面积耗尽区电容。 s s s qN a C d (8.3) x d 2 s 2 fp 4 fp qN a kT V t 是热电压， 1 C d / C ox ，在V D S 大于几个热电压时有 q W V V 2 G S T I D n C d V t exp (8.4) L V t 对上式两边取对数 W 2 V V