第二讲放大电路分析基础.pptx

电子电路基础第二讲放大电路分析基础（1） ICIBmA?AECVRBUCEUBEVEB五、特性曲线1、实验线路输入特性曲线IB=f(UBE)|UCE=常数 输出特性曲线IC=f(UCE)|IB=常数UCE =0.5VUCE=0VIB(?A)UCE ?1BE(V)0.40.82、输入特性工作压降：硅管UBE?0.6~0.7V锗管UBE?0.2~0.3V 死区电压硅管0.5V锗管0.2VIB(?ABE(V)0.40.8输入特性曲线的特点（1）UCE=0，相当于两个二极管并联运用。（2）UCE≠0时，整个曲线往右移当UCE＞0.5V后，曲线几乎重合（3）有一门限电压──晶体管开始导通时的基极电压（硅管0.5V，锗管0.1V）（4）晶体管正常工作时，发射结的压降变化不大（硅管0.7V，锗管0.3V）（5）输入特性是非线性的IC(mA )100?A480?A360?A240?A120?AIB=0312UCE(V)692、输出特性IC(mA )100?A480?A360?A240?A120?AIB=0312UCE(V)69输出特性曲线的特点（1）当IB=0时，IC≠0。这时的IC就是ICEO。（2）UCE=0时，IC=0。发射区注入到基区的电子不能被集电区所收集。当UCE＜1V，UCE↑→IC↑。（3）UCE1V以后，随着UCE的增加，IC几乎不变。曲线几乎平行等距。并且IB越大，曲线越往上移。（4）整个曲线可分为三个区★饱和区：发射结正偏，集电结正偏。IC≠βIB,， UCE?0.3V★放大区：发射结正偏，集电结反偏。曲线平行等距，曲线的疏密反映了β的大小。β=ΔIC/ΔIB，IC受IB控制。★截止区：发射结反偏，集电结反偏。IC≠βIB，IC=ICEO，此时VBE0.5v IC(mA )100?A480?A360?A240?A120?AIB=0312UCE(V)69例：UCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.7 mA； IB = 60 ?A, IC =2.5 mA。βf频率参数 fβ──截止频率 fT──特征频率βmax70.7%βmax1fTfβICICMUCEU(BR)CEO安全工作区集电极最大电流ICM集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。ICUCE=PCM集-射极反向击穿电压当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。集电极最大允许功耗PCM集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳热为：PC =ICUCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。PC?PCM七、晶体管的选择和使用注意事项1、必须使晶体管工作在安全区。2、若工作频率高，必须选用高频管。3、若要求导通电压低时选用锗管， 若要求导通电压高时选用硅管。4、ICBO、ICEO越小越好。5、NPN管和PNP管对电源的极性要求不一样。小结各种新名词及特性参数的定义本征半导体与杂质半导体（N型与P型）PN结及其单向导电性二极管伏安特性曲线二极管及稳压二极管的应用三极管电流放大原理三极管输入特性曲线与输出特性曲线主要内容2.1 共射放大电路分析基础2.2 放大电路的图解分析静态工作特性动态工作特性一、共射放大电路分析基础 放大的概念及特点：对有用信息进行增强且保持能量守恒共射放大电路组成发射结正偏，集电结反偏+-几个关系： 和 分别对应于输入输出ICIBQQIBQICQUBEUCEUCEQUBEQ静态特性分析特性曲线上的一个点称为静态工作点(Q点）两种基本共射放大电路 直接耦合共射放大电路信号源和负载电阻均与放大电路直接相连b级和c级合用电源+-直接耦合共射放大电路Rb2?0，输入交流信号的功率受损Rb2=0，三极管截止前后级工作点相互影响。可以用电容来隔离电容：隔直流，通交流+-阻容耦合共射放大电路 阻容耦合放大电路利用电容连接前后级电路iC+VCCtiCRCRBC2C1iBuCEuCEiBuouiuouitttt放大过程中的各点波形直流通路电容和电流信号源开路、电感和电压信号源短路，保留信号源内阻 直流通路电容和电流信号源开路、电感和电压信号源短路，保留信号源内阻 直流通路直流通路：电容和电流信号源开路、电感和电压信号源短路，保留信号源内阻 交流通路交流通路：放大电路中对交流特性有直接影响的部分，用来研究电路的动态交流特性 在中频段，一般认为放大电路的特性与频率无关 分析方法：将电容(如耦合电容等)和无内阻的直流电压源(如VCC)视为短路、直流电流源视为开路 交流通路将电容短路和取直流电源为零值 交流通路将电容短路和取直流电源为零值 二、放大电路的图解分析 实质