半导体基础知识习题.pptxVIP

第1页/共53页漂移运动PN结回顾PN 结的形成 由于扩散运动使P区与N区的交界面形成空间电荷区，从而形成内建电场阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N 区运动。 因电场作用所产生的运动称为漂移运动。 参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。第一页，编辑于星期日：十二点 四十三分。第2页/共53页PN 结的单向导电性必要吗？PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。PN结加反向电压截止： 耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似认为其截止。第二页，编辑于星期日：十二点 四十三分。第3页/共53页二极管回顾 二极管的伏安特性及电流方程二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。开启电压击穿电压反向饱和电流温度的电压当量材料导通电压反向饱和电流硅Si0.5~0.8V1μA以下锗Ge0.1~0.3V几十μA第三页，编辑于星期日：十二点 四十三分。第4页/共53页导通时UD＝Uon截止时IS＝0理想开关导通时 UD＝0截止时IS＝0二极管的等效电路导通时△i与△u成线性关系1. 将伏安特性折线化理想二极管近似分析中最常用第四页，编辑于星期日：十二点 四十三分。第5页/共53页 微变等效电路 当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。小信号作用Q越高，rd越小。静态电流第五页，编辑于星期日：十二点 四十三分。第6页/共53页i=5sinωt(V)，二极管导通电压UD=0.7V。试画出ui与uo的波形，并标出幅值。3.7-3.7ui=3.7V,D1导通ui=-3.7V,D2导通第六页，编辑于星期日：十二点 四十三分。第7页/共53页1.41.4试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？第七页，编辑于星期日：十二点 四十三分。第8页/共53页 稳压管回顾1.伏安特性限流电阻 由一个PN结组成，反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。2. 主要参数进入稳压区的最小电流稳定电压UZ、稳定电流IZ不至于损坏的最大电流最大功耗PZM＝ IZM UZ 若稳压管的电流太小则不稳压，若稳压管的电流太大则会因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电流的限流电阻！第八页，编辑于星期日：十二点 四十三分。第9页/共53页1.61.6解：（1）假设DZ工作在稳压状态，则Uo=Uz=6V。UI=10V时，假设不成立，稳压管DZ截止。同理，UI=15V时，Uo=5V。第九页，编辑于星期日：十二点 四十三分。第10页/共53页UI=35V时假设稳压管工作在稳压状态×假设成立稳压管工作在稳压状态。Uo=6V（2） UI=35V，负载开路时，稳压管因功耗过大而损坏。第十页，编辑于星期日：十二点 四十三分。第11页/共53页1.91.9第十一页，编辑于星期日：十二点 四十三分。第12页/共53页三极管放大原理（npn为例）因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。第十二页，编辑于星期日：十二点 四十三分。第13页/共53页电流分配： IE＝IB＋IC三级管输入特性曲线三级管输出特性曲线第十三页，编辑于星期日：十二点 四十三分。第14页/共53页U+-+-U1.放大状态：Si三极管|UBE|约为0.7V，Ge三极管|UBE|约为0.2V 2.放大状态：发射结正偏，集电结反偏第十四页，编辑于星期日：十二点 四十三分。第15页/共53页1.91.9ecebbbccePNP Si管NPN Si管NPN Si管第十五页，编辑于星期日：十二点 四十三分。第16页/共53页1.9cbbeeeebccPNP Ge管NPN Ge管PNP Ge管第十六页，编辑于星期日：十二点 四十三分。第17页/共53页三极管工作状态的判断（分析方法）一、NPN型晶体管(Uon0)1.若uBEUon晶体管截止； 晶体管导通若uBEUon, 2.uBEUon时 (1) 若 ，即 （集电结反偏），则晶体管处于放 大状态。 (2)若基极电流 ，则晶体管处于饱和状态。 其中IB为基极电流，ICS为集电极饱和电流。第十七页，编辑于星期日：十二点 四十三分。第18页/共53页三极管工作状态的判断（分析方法）二、PNP型晶体管(Uon0)晶体管截止；若uBEUon1.晶体管导通若