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透明导电薄膜研究进展 透明导电薄膜研究进展 透明导电薄膜研究进展 透明导电薄膜的研究进展 摘 要：透明导电薄膜是一种在可见光范围内透光率较高又拥有优异导电性的薄膜资料，主要应用于太阳能电池板、液晶显示屏、柔性电子设备以及智能玻璃等方面。本文综述了透明导电薄膜的发展情况，介绍了透明导电薄膜常用原料和制备工艺并对其发展远景进行解析。 要点词：透明导电薄膜；制备方法； TCO；石墨烯；碳纳米管、应用 序言 透明导电薄膜是一种在可见光范围内透光率较高又具 有优异导电性的薄膜资料，主要应用于太阳能电池板、液晶 显示屏、柔性电子设备以及智能玻璃等方面。透明导电薄膜 发展迅速，无论在资料的选择还是制备工艺的发展，有关透 明导电薄膜的研究成就不断涌现。 种类及制备工艺 透明导电薄膜种类众多，依照原料的不同样可以分为金属 氧化物薄膜（ TCO）、石墨烯薄膜、 CNT薄膜、导电聚合物薄 膜以及其他薄膜等。 2.1 金属氧化物透明导电薄膜（ TCO） TCO薄膜 [1] 是目前研究和应用最广泛的透明导电薄膜， 研究和应用很多的混淆 TCO薄膜，主要有 In2O3 基、ZnO 基、 SnO2基透明导电薄膜。 目前市场上占比最大的是氧化铟锡  [2]（ Indium tin oxide  ， 简称 ITO）透明导电薄膜，氧化铟锡由于拥有优异导电性、 耐腐化、易加工等优点，被广泛应用于电子工业领域。 ITO 薄膜常用的制备方法 [3] 有磁控溅射法、电子束蒸发法、化学 气相聚积法、溶胶 -凝胶法、喷涂法等 ，而磁控溅射是目前 商业上广泛使用的薄膜制备方法之一。但是由于 ITO 薄膜制 备工艺复杂，需要使用复杂昂贵的辅助设备，同时铟作为稀有金属，价格昂贵，资源有限，限制了其发展。 在对传统 ITO 薄膜制造工艺的研究中，人们对磁控溅射 制备 ITO 薄膜进行了大量研究，主要集中在聚积温度、工作 压力、溅射功率、 后办理以及聚积速率等工艺条件对 ITO 薄 膜的影响上。 钟志有 [4] 采用直流磁控溅射方法在一般玻璃衬底上制备 ITO 透明导电薄膜。研究发现，在同样的退火条件下，聚积速率较小时，薄膜的优异指数较大，拥有较佳的光 电综合性能。比单层 ITO 厚度更薄、导电性更好的 ITO/ Ag/ ITO（IAI）复合膜 [5] 获得了人们越来越多的关注。 在 TCO薄膜中，另一大体系是氧化锌基透明导电薄膜。氧化锌 （ ZnO）[6] 作为一种新式半导体光电资料，原资料来 源丰富、无毒、价格低价。其中掺铝氧化锌膜（ AZO）在等离子体中化学牢固性最好， 且拥有同 ITO 膜相似的光电性能， 应用较广泛。平时情况下，氧化锌薄膜表现弱 n 型导电性， 经过引入合适的元素混淆此后，氧化锌薄膜的导电性可以明 显改进。常用的混淆元素有 B、 Mg、 Pr、 Nb、 Si、 Cu、 Ga、 Ti 等元素。 SnO2 作为一种宽带隙半导体资料， 近来碰到越来越多的 关注，有望成为下一代拥有更大发展潜力的新式透明导电材 料。SnO2 基很少单独使用， 研究也多以混淆复合使用， 氟或 锑混淆的氧化锡低辐射涂层玻璃被认为是最经济合用的建 筑节能玻璃资料。目前最常用的制备工艺是磁控溅射法，然 而喷雾热分解工艺 [7] 制备低辐射玻璃可以极大地降低生产 成本，或许拥有更广阔的远景。 在金属氧化物薄膜研究领域， TIO2 基和掺锑氧化锡 （ ATO） 薄膜 [8] 同样拥有较大的发展远景。 2.2 石墨烯透明导电薄膜 在透明导电薄膜领域，石墨烯同样发展迅速。石墨烯由 于拥有极高的透光率、导电性和机械性，在其被制备后迅速 引起了光电子领域研究人员的极大关注。石墨烯透明导电薄 膜的制备方法目前主要有氧化石墨法、化学气相聚积法、复 合资料法等。 闵永刚 [9] 经过 Langmuir-Blodgett 法方便地制备 了透光率为 82.69%，方块电阻为 471Ω / □的柔性石墨烯透明 导电薄膜，并经过逐层堆叠的技术达到优化石墨烯透明薄膜 性能的目的。研究发现 [10] ，石墨烯 / 银纳米线复合透明导电 薄膜不但拥有优异的光电性能，还拥有优异的机械波折牢固 性。 2.3 碳纳米管透明导电薄膜 碳纳米管和石墨烯近似，也是新式的纳米碳资料，同样拥有独到的晶体结构和优异的性能而被人们广泛关注。碳纳米管，也称为巴基管，由石墨片层绕中心轴卷曲所组成的单层或多层的同轴无缝中空管状物，两端闭合。目前碳纳米管 制备 [11] 主要采用电弧法、化学气相聚积法（ CVD）、激光蒸发法、离子（电子束）辐射法、电解法、火焰法等等。工业制备中主要采用电弧法、激光蒸发法和化学气相聚积法。孟 岩[12] 采用绕线棒涂布的方法制备大面积的碳纳米管柔性透 明导电薄膜。魏嘉麒 [13] 采用 Hummers 法制备