材料的塑性变形（课堂PPT）.pptVIP

1.定义：晶体在切应力作用下，其中一部分沿着一定晶面和这个晶面上的一定方向，相对另一部分产生的平移滑动。——晶体发生了塑性变形。 2.5.1 滑移 τ τ 滑移的结果：塑性变形，表面形成台阶。 外力作用下晶体滑移示意图（微观） 外力作用下晶体滑移示意图 （a）滑移前；（b）滑移后 单晶试棒在拉伸应力作用下的变形 （a）变形前；（b）变形后 2.5.1 滑移 2.5.1 滑移 2.滑移的晶体学条件： ①几何条件：滑移沿密排面和密排方向进行； ②静电条件：对于离子晶体和共价晶体，滑移过程中 不应遇到同号离子的巨大斥力作用。 滑移面：原子密排面，晶面指数小； 滑移方向：原子密排方向，晶向指数小； 滑移系：滑移面与滑移方向的组合。 2.5.1 滑移 2.5.1 滑移 3.滑移的特点： 滑移过程中晶体的点阵结构不发生改变； 滑移的距离为该方向上原子间距的整数倍； 滑移面与滑移方向组成滑移系。 2.5.2 滑移机制 位错——晶体中已滑移部分和未滑移部分的分界线。 位错宽度——分界线之间的过渡区域。 位错宽度越窄：界面能越小，但弹性畸变能很高； 位错宽度越宽：集中的弹性畸变分摊到较宽区域内的各个原子面上，每个原子偏离平衡位置较小，单位体积内的弹性畸变能减小。即——位错宽度越大，位错就越易运动。 2.5.2 滑移机制 位错宽度越宽——位错运动所需克服的能量势垒小。 位错宽度越窄——位错运动所需克服的能量势垒大。 派—纳力——在理想晶体中，位错点阵周期场中运动时所需克服的阻力。 定性分析派—纳力： 位错宽度越小，派—纳力越大，材料就难以变形，相应屈服强度就高； 位错宽度主要决定于结合键的本性和晶体的结构。 混合位错的形成 2.3.1 位错的基本概念（dislocation） （2）位错的类型 c.混合位错 位错线在几何上的两个特征： ①位错线的方向ξ，它表明给定点上位错线的取向，由人们的观察方位来决定，是人为规定的； ②位错线的伯格斯矢量b，它表明晶体中有位错存在时，滑移面一侧质点相对于另一侧质点的相对滑移或畸变，由伯格斯于1939年首先提出，故称为伯格斯矢量，简称为伯氏矢量。 （1）柏氏矢量的确定 2.3.2 柏氏矢量与柏氏回路 （1）柏氏矢量的确定 刃型位错柏氏矢量的确定 (a) 实际晶体的柏氏回路；(b)完整晶体相应回路 2.3.2 柏氏矢量与柏氏回路 螺型位错柏氏矢量的确定 (a) 实际晶体的柏氏回路；(b)完整晶体相应回路 （1）柏氏矢量的确定 2.3.2 柏氏矢量与柏氏回路 2.3.2 柏氏矢量与柏氏回路 （2）柏氏矢量的性质与表示方法 柏氏矢量具有守恒性，具体表现在如下： 柏氏矢量与柏氏回路的起点、形状、大小和位置无关。只要回路不与其他位错线或原位错线相遇，则回路所包含的晶格畸变总量不会改变； 一条位错线具有唯一的柏氏矢量，即位错线各部分的柏氏矢量均相同； 若几条位错线汇交于一点时，则指向节点的各位错的柏氏矢量之和等于离开结点的各位错柏氏矢量之和。 （1）位错滑移 位错的滑移面——由位错线与其柏格斯矢量组成的晶面。 滑移运动——位错沿滑移面的移动。 当位错在切应力作用下沿滑移面滑过整个滑移面时，就会使晶体表面产生一个原子间距的滑移台阶。 2.3.3 位错运动理论 晶体滑移的三种情况 刃型位错的滑移 螺型位错的滑移 混合位错的滑移 位错运动的难易将直接影响材料的塑性变形和强度。 位错运动的两种基本形式：滑移和攀移。 （1）位错滑移 2.3.3 位错运动理论 位错滑移导致晶体滑移的示意图 类 型 柏氏向量 位错线 运动方向 晶体 滑移方向 切应力 方向 滑移面 个数 刃 ⊥位错线 ⊥位错线本身 与b一致 与b一致 唯一 螺 ∥位错线 ⊥位错线本身 与b一致 与b一致 多个 混合 与位错线 成一定角度 ⊥位错线本身 与b一致 与b一致 刃位错只有唯一的一个滑移面；对于螺位错，凡通过位错线的晶面，都是滑移面，有无数个。 2.3.3 位错运动理论 （1）位错滑移 2.3.3 位错运动理论 （2）位错的攀移 位错除滑移外，还可以产生攀移，由于热运动，原子之间扩散，空位扩散到位错处，使位错上移，杂质离子扩散到位错处，使位错下移。 刃型位错的攀移运动模型 (a) 未攀移的位错；(b) 空位运动形成的正攀移；(c) 间隙原子扩散引起的负攀移 2.3.3 位错运动理论 （2）位错的攀移 刃型位错攀移的实质——多余半原子面通过空位或原子的扩散而扩大或缩小。 正攀移——当多余原