第5章 常用电子元器件 - 2021.pptxVIP

;电工电子技术及应用;;本章重点;5.1 普通半导体二极管;1948年，贝尔实验室的沃尔特.布拉登和约翰.巴丁发明了世界上第一个点触式晶体管。;1956年，贝尔实验室的这三个人因此而获得诺贝尔物理学奖。;5.1.1 结构类型及符号;; 1. PN 结加正向电压（正向偏置）;2. PN 结加反向电压（反向偏置）;PN 结变宽; 当PN结 正向 偏置，即P型半导体接电源的正极，N型半导体接电源的负极，PN结变薄，流过的电流较大，呈 导通状态 ；当PN结 反向 偏置，即P型半导体接电源的负极，N型半导体接电源的正极，PN结变厚，流过的电流很小，呈 截止状态 。 ;5.1 普通半导体二极管;二极管的伏安特性 ;;;; bc段: 电流几乎为零，管子相当于一个大电阻，呈正向截止状态，好象有一个门坎。硅管的门坎电压Uth（又称开电压或死区电压）约为0.5V，锗管约为0.1V。;2. 反向特性;5.1 普通半导体二极管;5.2 特殊半导体二极管;稳压二极管简称稳压管，是一种用硅材料和特殊工艺制造出来的面接触型二极管。;1.稳压管的伏安特性; ;2.稳压管的主要参数 ;（2）稳定电流IZ：IZ是稳压管工作在稳定状态时的参考电流，电流低于此值时稳压效果变坏，甚至根本不稳压，故也常将IZ记作IZmin。只要不超过稳压管的额定功率，电流愈大，稳压效果愈好。 ;（3）额定功耗PZM：PZM等于稳压管的稳定电压UZ与最大稳定电流IZM（或记作IZmax）的乘积。稳压管的功耗超过此值使，会因PN结温升过高而损坏。对于一只具体的稳压管，可以通过其PZM的值，求出的IZM值。 ; （4）动态电阻rZ：rZ是稳压管工作在稳压区时，端电压变化量与其电流的变化量之比，即rZ=ΔUZ/ΔI。rZ愈小，电流变化时UZ的变化愈小，即稳压管的稳压特性愈好。对于不同型号的管子，rZ将不同，从几欧到几十欧；对于同一只管子，工作电流愈大，rZ愈小。 ; （5）温度系数α：α表示温度每变化1℃稳压值的变化量，即α=ΔUZ/ΔT。稳压电压小于4V的管子具有负温度系数，即温度升高时稳定电压值下降；稳压电压大于7V的管子具有正温度系数，即温度升高时稳定电压值上升；而稳定电压在4~7V之间的管子，温度系数非常小，近似为零。 ;由于稳压管的反向电流小于IZmin时不稳压，大于IZmax时???因超过额定功耗而损坏，所以在稳压管电路中必须串联一个电阻来限制电流，从而保证稳压管正常工作，故称这个电阻为限流电阻。只有在限流电阻取值合适时，稳压管才能安全地工作在稳压状态。 ; 光电二极管的结构与PN结二极管类似，但在它的PN结处，通过管壳上的一个玻璃窗口能接收外部的光照。这种器件的PN结在反向偏置状态下运行，它的反向电流随光照强度的增加而上升。;; 发光二极管通常用元素周期表中Ⅲ、Ⅴ族元素的化合物，如砷化镓，磷化镓等制成的。当这种管子通以电流时将发出光来。光谱范围是比较窄的，其波长由所使用的基本材料而定。发光二极管常用来作为显示器件，除单个使用外，也常作成七段式或矩阵式器件，工作电流一般为几个毫安至十几毫安之间。;;;5.3 半导体三极管; 半导体三极管（BJT），以后简称三极管，是通过一定的工艺，将两个PN结结合在一起的器件。由于PN结之间的相互影响，使半导体三极管表现出不同于单个PN结的特性而具有电流控制作用，从而使PN结的应用发生了质的飞跃。;三极管的种类很多;;5.3 半导体三极管;基区：最薄， 掺杂浓度最低;5.3 半导体三极管;5.3 半导体三极管;1.输入特性 ;1.输入特性 ;2.输出特性 ;;;; 三极管工作在放大状态，具有电流控制作用，利用它可以组成放大电路；工作在截止和饱和状态，具有开关作用，利用它可以组成开关电路。 ;1. 电流放大系数;?;5.3 半导体三极管;5.3 半导体三极管;6.集电极最大允许功率损耗PCM;5.4 场效应管; 场效应管（FET）是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件，于20世纪60年代面世。它不仅体积小、质量轻、耗电省、寿命长，而且还具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中已得到了广泛的应用。; 场效应管有结型和绝缘栅型两种结构，与晶体三极管e、b和c相对应，也有三个电极，它们分别是源极s、栅极g和漏极d。;5.4.1 结构类型与符号;;5.4 场效应管;1.静态参数;（3）饱和漏极电流IDSS：在uGS=0情况下，当uDS＞︱UGS（off︱时的漏极电流。;2.动态参数;（2）极间电容：FET的三个极之间均存在极间电容。通常，栅-源电容CGS和栅-漏电容CGD约为1~3pF，漏-源电容CDS约为0.1~1Pf。虽然都很小，但在高