数字电路讲义.pptx

会计学;第八章 存储器与可编程逻辑器件 第一节 概述;第八章 存储器与可编程逻辑器件 第一节 概述;第二节 随机存取存储器--RAM （RAM-- Random Access Memory ）;一、静态随机存取存储器-- Static RAM;8×4位SRAM;第7页/共152页;第8页/共152页;第9页/共152页; ◆ SRAM的写操作时序; ◆ SRAM的写操作时序;◆ SRAM的读操作时序;二、动态随机存取存储器-- Dynamic RAM;二、动态随机存取存储器-- Dynamic RAM;DRAM的结构 ;DRAM的 工作方式;三、 RAM的扩展与应用 ; 字扩展：存储深度的扩展 ;常用RAM组件：;RAM2114、6116的管脚图;2114容量的??展;2. 字数的扩展：;例8-1 试将容量为256×4位的SRAM(AM9122)，扩展成512×8位的RAM组合 分析：位扩展 4→ 8 需两片AM9122 字扩展256 →512 深度为原来的两倍 2×2＝4 共需4片容量为256×4位的SRAM(AM9122) ;;多块RAM构成内存条;CPU与RAM的连接;PC控制接口卡中RAM的电路;三、 RAM的扩展与应用 ;三、 RAM的扩展与应用 ;三、 RAM的扩展与应用 ;三、 RAM的扩展与应用 ;三、 RAM的扩展与应用 ;三、 RAM的扩展与应用 ;;;0;ROM阵列示意图;ROM阵列示意图;ROM阵列示意图;ROM阵列示意图;符号和定时图; 特点: 出厂时全部存储 “1”，用户可根据需要将某些单元改写为 “0”, 然而只能改写一次。;二、可编程 ROM （PROM）;▼EPROM—Erassable PROM 所存储的信息可以用紫外线照射擦除，重新编程。;▼EPROM—Erassable PROM 所存储的信息可以用紫外线照射擦除，重新编程。;;四、 ROM的扩展的与应用 ;四、 ROM的扩展 ;四、 ROM的扩展 ;考研例题：;ROM的连接电路;CPU与ROM的连接;2、ROM的应用举例;例8-2 试将容量为1K×8 位的 PROM ( 28L85A ）编程为 8K×1 位的 ROM ，画出必要的连线图，注明地址码的安排。;例8-3 试用PROM实现8位B码至BCD码的转换 ;例8-4 用容量为2K×8 的ROM，构成14位的数据产生可控的奇/偶校验码;利用ROM存储字库点阵;利用ROM存储字库点阵;第59页/共152页;第60页/共152页;第61页/共152页;公;利用ROM存储字库点阵;;;第66页/共152页;ROM实现逻辑函数实例; ROM实现组合函数的不足 芯片的利用率不高。这是因为ROM中的与阵列是一个固定的全译码阵列， 每一个乘积项都是一个最小项，只能实现组合逻辑函数的最小项表达式，不能进行化简，而且实际上大多数的组合逻辑函数也并不需要所有的最小项。因此，ROM在绝大多数场合还是被作为存储器使用。;第四节 可编程逻辑阵列--PLA （PLA– Programmable Logic Array ）;;;P1;;例8-6试用适当的PLA和触发器实现一可变模分频器，当控制输入X＝0时，分频模M＝5；X＝1时，M＝7，且在状态Q2Q1Q0＝111时，输出Z＝为1，其余情况均为0，此外，电路还具有异步置位输入SD。 解：首先列功能表进行计数器设计;第75页/共152页;;;;;;;第五节 可编程阵列逻辑--PAL （PAL– Programmable Array Logic ）;功能？;PAL的命名;PAL的基本输出结构;PAL的基本输出结构;PAL的基本输出结构;PAL的基本输出结构;PAL的基本输出结构;PAL的基本输出结构;;;;;;;特点： PLA：只能组合，非常灵活。 有点复杂、成本高 PAL：可组合，也可时序。 不足：采用熔丝工艺，只能编程一次;第六节 通用阵列逻辑--GAL （GAL– Generic Array Logic ） 一、GAL的结构;GAL结构;GAL结构;二、OLMC的结构和组态—Output Logic Macro Cell;二、OLMC的结构和组态;二、OLMC的结构和组态;二、OLMC的结构和组态;二、OLMC的结构和组态;二、OLMC的结构和组态;二、OLMC的结构和组态;二、OLMC的结构和组态;二、OLMC的结构和组态;二、OLMC的结构和组态;第七节 PLD的发展与编程;部分HDPLD产品的性能表;逻辑块;■ 二、 Altera公司的MAX7000系列CPLD 编程工艺：E2PR