半导体中的载流子在电磁场中的运动.pptxVIP

●载流子的漂移运动和迁移率 ;§4.1 载流子的漂移运动和迁移率 ;二、欧姆定律 ;三、电导率 ? 的表达式 ;ds表示A处与电流垂直的小面积元，小柱体的高为 ;;;因为电子带负电，所以Vdn一般应和 E 反向，习惯上迁移率只取正值，即;对于空穴，有 ：;对 n 型半导体： ;; 本征： ;载流子热运动示意图;;第15页/共140页;散射几率 P : 单位时间内一个载流子受 到散射的次数。;时：;平均自由时间 ?:;第19页/共140页;其中;第21页/共140页;2. 迁移率和电导率与平均自由时间的关系;第23页/共140页;;第25页/共140页;设导带电子浓度 no，一个能谷的电子形成的 电流密度在 x?y?z? 中的分量;→;第28页/共140页; 低温、掺杂浓度高;;第31页/共140页;第32页/共140页;格波的波矢 q = 2?/?, 方向为格波的传播方向。;一个晶体中具有同样 q 的格波不止一个，其数目 取决于晶胞中的原子数。;—波的传输方向与原子的振动方向相同;;第37页/共140页;平衡时;平衡时;;;纵声学波 → 原子疏密变化 → Eg 变化 → 附加势 → 形变势;(3) 光学波的散射 ;平衡时;离子晶体;+ + + - + + + + - - + + +;纵光学波的散射几率 Po: ;对原子晶体：;§4.3 迁移率和电导率随温度和 杂质浓度的变化 ;; ● 纵光学波 ;● 电离杂质的散射 ;2. 实际材料μ的表达式 ;● Si、Ge ;3. 影响μ的因素 ;;(2) 杂质浓度 Ni 的影响 ;;(3) m* 的影响 ;二、半导体材料的电阻率与温度 和杂质浓度的关系 ; 1. ρ与 ND 的关系(T 恒定) ;; 2.ρ与T 的关系(ND恒定) ;;(2) 正常掺杂的半导体材料 ; ● 饱和区; ● 本征区;§4.4 强电场效应;第69页/共140页;;第71页/共140页;平均漂移速度 ：;∴平均漂移速度Vn随电场增加而缓慢增大, Vn( J )? E1/2 ;第74页/共140页;载流子;有电场时: 载流子从电场中获得能量，随后又以声子的形式将能量传给晶格。;单位时间载流子从电场中获得的能量同给予晶格的能量相同;假设在τ时间内，电子交给晶格的能量为△E：;在强电场下：;电场不是很强时：;(1) 较强电场（V ? E 1/2 ）;载流子能量;自学;载流子能量;自学;自学;散射后电子的能量变化为：;→ V 与E无关;3. 多能谷散射、耿式效应、负阻效应;;极值点在坐标原点： mn*=0.068mo ;1. P型半导体霍尔效应的形成过程 ;;电场力：fε=qEx ;;;; 3.求霍尔角θ及空穴迁移率μ和电导率σ ;;;1．霍尔效应的形成过程;;;两种载流子同时存在;1．霍尔效应的形成过程及霍尔系数 RH;－y方向;+y方向;第108页/共140页;第109页/共140页;自学;自学;;(2) p型半导体 ;● 过渡区 ;;(3) N 型半导体 ;● 温度再升高，少子浓度升高 ;;●ND或NA升高，RH下降，RH～T 变化规律一样 ;四、霍尔效应的应用 ;§4.6 半导体的磁阻效应;一、磁阻效应的类型 ;按机理分： ; 磁阻的大小： ;二、物理磁阻效应 ;; 只考虑一种载流子的材料的磁阻效应，通常用 ：;2．同时考虑两种载流子 ;;Bz?0时，沿x方向的总电流应是两电流的矢量之和 ;此种磁阻效应表示为： ;三、几何磁阻效应 ; ;2．园盘形样品 ;第135页/共140页;磁光效应(包括朗道能级）、量子化霍耳效应、 热磁效应、光磁电效应、压阻效应;第四章; 三、元素半导体的迁移率和电阻率与温 度和掺杂浓度的关系 ;3.霍尔角与迁移率和电导率的关系 ;感谢您的观看。