模电课件模电第1篇.pptxVIP

第一篇 电子器件基础第一章 电子器件的特性与模型 ;第一章 电子器件的特性与模型 第二章 半导体器件的工作机理 包括半导体器件（二极管、双极型晶体管、场效应管）的结构、特性和参数，以及集成电子器件的制造工艺 ;§ 1 半导体二极管的伏安特性及其模型 ;;开启电压（门坎电压）Vth 硅管为0.5V, 锗管为0.1V。 在恒压区，硅管导通压降为0.6V-0.8V; 锗管为0.2-0.3V ;（2 ）反向特性 承受反向电压(小于击穿电压V(BR),)反向电流很小 硅管为nA数量级；锗管为uA数量??结论：二极管具有单向导电性（3 ）反向击穿特性 雪崩击穿－－发生在低掺杂的PN结中，反向击穿电压较高（大于7V）齐纳击穿－－发生在高掺杂的PN结中，反向击穿电压较低（小于4V）在4～7V时，上述两种击穿可同时存在 反向击穿后应限制反向电流的增加;（4 ）温度特性 反向饱和电流增加； 正向电流升高（相当与保持正向电流不变，所需的正偏压减少）－－PN结正向电压具有 负温度特性;三、半导体二极管的主要参数半导体二极管的参数主要有以下几个：;四、 二极管基本应用电路分析举例;（2）. 小信号模型将二极管特性局部线性化;2、基本应用电路分析例子（1） 全波整流电路;二极管承受反向峰值电压： ;（