模拟电路半导体基础知识 .pptxVIP

模拟电路半导体基础知识;4、 学习方法;;0 导言;0、1 电信号;是研究电子器件、电子电路及其应用的;;0、3 电子技术的课程体系;;本章要求;1、1 半导体基础知识;1、典型的半导体材料 元素 硅(Si)、锗(Ge) 化合物 砷化镓(GaAs) 掺杂元素或化合物 硼(B)、磷(P);;4、 半导体的共价键结构;1、 本征半导体;2、 本征半导体晶体结构;3、 本征半导体中的两种载流子;图1、1、4 自由电子进入空穴产生复合运动;可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的,称为电子空穴对。在外电场作用下,空穴能够自由在晶体中运动,从而和自由电子一样能够参加导电,载流子为自由电子和空穴,载流子越多,导电能力越强,但不如导体。;1、1、2 杂质半导体 ;在硅(锗)单晶中掺入少量三价元素(硼),则三价元素原子在晶格中缺少一个价电子,从而产生一个空穴。 空穴原因:掺杂(90％以上)＋本征激发(空穴、自由电子); 这一现象称为受主电离。;3、 五价元素掺杂——N(电子) 型半导体; 多余价电子容易成为自由电子，可以参与导电。 提供自由电子后的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子称为施主杂质。 正离子束缚于晶格中，不参与导电。 掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度等于掺杂浓度。 在 N 型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由掺杂形成；空穴是少数载流子，它仍由热激发形成。 P 型半导体和N 型半导体掺入微量杂质元素后,导电能力大大提高,但并不用来导电。呈电中性?;;N型半导体;4、载流子的产生与复合 产生:价电子获得额外的能量(激发能),从价带跃迁到导带,而产生载流子的过程。 产生的形式:本征激发(电子空穴对)、施主电离、受主电离。 复合:自由电子与空穴相遇,重新填入共价键中空穴的过程,复合使自由电子和空穴成对地消失。复合与产生是半导体的一对矛盾,在一定温度下,二者处于一定的动态平衡中。;;1、 PN结的形成;;PN结的形成过程;;;;;3 PN结V- I 特性(伏安特性)表达式;; 当PN结的反向电压增加到一定数值时,反向电流突然快速增加,此现象称为PN结的反向击穿。;感谢您的聆听！