材料物理性能5.pptxVIP

第1页/共38页 Emax=(V/d)max 通常，凝聚态绝缘体的击穿电场范围约为(105-5×106)V.cm-1。 介电强度依赖于材料的厚度， 厚度减小，介电强度增加。由测试区域中出现的临界裂纹的几率决定。 还与环境温度和气氛、电极形状、材料表面状态、电场频率和波形、材料成分和孔隙、晶体各向异性，非晶态结构等因素有关。第一页，编辑于星期日：二十一点 十六分。第2页/共38页介电强度例：设计一方案，满足3KV下存储10-4C的要求 ，设电介质材料厚0.02mm的BaTiO3，求电介质的厚度及面积。（注:BaTiO3的介电强度为120KV/cm）。第二页，编辑于星期日：二十一点 十六分。第3页/共38页 一些电介质的介电强度 单位：106V/cmAl2O3 (0.03mm) 7.0 BaTiO3 (0.02cm，单晶）0.04Al2O3 (0.6mm)1.5 BaTiO3 (0.02cm，多晶）0.12Al2O3 (0.63cm)0.18环氧树脂160-200云母 (0.002cm)10.1聚苯乙烯160云母 (0.006cm)9.7硅橡胶220第三页，编辑于星期日：二十一点 十六分。第4页/共38页影响无机材料击穿强度的各种因素 1.介质的不均匀性 无机材料常常为不均匀介质，有晶相、玻璃相和气孔存在，这使无机材料的击穿性质与均匀材料不同。 不均匀介质最简单的情况是双层介质。设双层介质具有各不相同的电性质，ε1，σ1，d1和 ε2，σ2，d2 分别代表第一层、第二层的介电常数、电导率、厚度。 若在此系统上加直流电压U，则各层内的电场强度E1，E2，为：第四页，编辑于星期日：二十一点 十六分。第5页/共38页影响无机材料击穿强度的各种因素 上式表明：电导率小的介质承受场强高，电导率大的介质承受场强低。在交流电压下也有类似的关系。 如果σ1和σ2 相差甚大，则必然其中一层的电场强度将大于平均场强E，这一层可能首先达到击穿强度而被击穿。一层击穿以后，增加了另一层的电压，且电场因此大大畸变，结果另一层也随之击穿。由此可见，材料的不均匀性可能引起击穿场强的降低。 陶瓷中的晶相和玻璃相的分布可看成多层介质的申联和并联，上述的分析方法同样适用。第五页，编辑于星期日：二十一点 十六分。第6页/共38页影响无机材料击穿强度的各种因素 2. 材料中气泡的影响： 材料中含有气泡时，气泡的ε及σ很小，因此加上电压后气泡上的电场较高。而气泡本身的抗电强度比固体介质要低得多(一般空气的Eb≈33kv/cm，而陶瓷的Eb≈80kv/cm )，所以首先气泡击穿，引起气体放电(电离)，产生大量的热，容易引起整个介质击穿。由于在产生热量的同时，形成相当高的内应力，材料也易丧失机械强度而被破坏，这种击穿称为电—机械—热击穿。 第六页，编辑于星期日：二十一点 十六分。第7页/共38页影响无机材料击穿强度的各种因素 3. 材料表面状态及边缘电场： （1）固体介质的表面放电 固体介质的表面放电属于气体放电。固体介质常处于周围气体媒质中，击穿时，常发现介质本身并未击穿，但有火花掠过它的表面，这就是表面放电。 a: 固体介质材料不同，表面放电电压也不同。陶瓷介质由于介电常数大、表面吸湿等原因，引起空间电荷极化，使表面电场畸变，降低表面击穿电压。 b: 固体介质与电极接触不好，则表面击穿电压降低。 c: 电场的频率不同，表面击穿电压也不同。频率升高，击穿电压降低。第七页，编辑于星期日：二十一点 十六分。第8页/共38页影响无机材料击穿强度的各种因素 3. 材料表面状态及边缘电场： （2）边缘电场： 电极边缘常常发生电场畸变，使边缘局部电场强度升高，导致击穿电压的下降。 影响因素： a: 电极周围媒质 b: 电场的分布(电极的形状、相互位置) c: 材料的介电系数、电导率 第八页，编辑于星期日：二十一点 十六分。第9页/共38页3.4 压电性和热释电性压电性1.压电性概念 1）正压电效应 ：晶体受到机械作用力时，在一定方向的表面上会出现数量相等、符号相反的束缚电荷；作用力反向时，表面荷电性质亦反号，而且在一定范围内电荷密度与作用力成正比。这种由机械能转化为电能的过程，为正压电效应。 逆压电效应 ：当晶体在外加电场作用下，晶体的某些 方向上产生形变，其形变与电场强度成正比。称为逆压电效应。 正压电效应与逆压电效应统称为压电效应。具有压电效应的物体称为压电体。第九页，编辑于星期日：二十一点 十六分。第10页/共38页α –石英晶体a: 在X方向上的二个晶体面上接电极，测定电荷密度。 X方向上受正应力T1(N/m2)时，测得X方向电极面上产生的束缚电荷Q，其表面电荷密度σ （C/m2）与作用力成正比。 ?1=d11T1 其中T1为沿法线方向正应力，d11为压电