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EPROM芯片引脚图 ( 2764 ) 3.常用SRAM介绍 ( 6264 ) 常用的SRAM芯片 型 号 性 能 6116 6264 62256 容量/ bit 2KB×8 8KB×8 32KB×8 读写时间/ns 200 200 200 工作电压/V 5 5 5 典型工作电流/mA 35 40 8 典型维持电流/mA 5 2 0．5 封装 DIP24 DIP28 DIP28 SRAM芯片引脚图 ( 6264 ) 3.EEPROM简介 Electrically Erasable Programmable ROM 相同容量的EEPROM和EPROM的引脚是兼容的。 型 号 2816A 2817 2817A 2864A 存储容量 2KB×8 2KB×8 2KB×8 8KB×8 程序存储器的扩展主要考虑以下几个问题： 地址线的连接 数据线的连接 控制信号的连接 译码电路的设计 7.2.2 程序存储器的扩展 例7-1 若单片机为8031，试采用2764扩展8KB的程序存储器。 扩展存储器地址范围.doc 例7-2 若单片机为8031,试采用2764扩展32KB的程序存储器。 扩展存储器地址范围.doc 扩展外部数据存储器与扩展外部程序存储器的设计方法基本一样，但所用的控制信号不同，片外数据存储器的读/写由单片机的 RD (P3.7)和 WR (P3.6)信号控制，而读片外程序存储器的信号为 PSEN. 7.2.3 数据存储器的扩展 例7-4 若单片机为8031，试采用SRAM芯片把外部数据存储器扩展为32KB。 分析：由于没有指定SRAM的具体型号，外部数据存储器扩展为32KB有多种设计方案。 方案一：62256 的存储容量为32KB，可以采用1片62256来设计。 方案二：62128的存储容量为16KB，可以采用2片62128来设计。 方案三：6264的存储容量为8KB，可以用4片6264来设计。 方案四：6116的存储容量为2KB，可以用16片6116来设计 方案五：可以用1片62128和2片6264来设计。 方案六：可以用1片62128和8片6264来设计。 采用大容量的SRAM芯片会使使用的芯片数量减少，译码电路的复杂性降低，从而提高电路的可靠性。因此方案一和方案二是比较合理的设计方案。 例7-4 采用一片62256扩展32KB外部数据存储器。 扩展存储器地址范围.doc 扩展存储器地址范围.doc 例7-4 采用两片62128扩展32KB外部数据存储器。 例7-5 若单片机为8031，请用1片2764扩展8KB程序存储器,用1片62256扩展32KB外部数据存储器。 7.2.4 存储器综合扩展 扩展存储器地址范围? 扩展EPROM地址译码方式? 部分地址译码 扩展RAM地址译码方式? 线选译码 7.3 51单片机并行I／O端口的扩展 7.3.1 简单I/O端口扩展 7.3.2 采用专用芯片扩展I/O端口 7.3.3 采用串行通讯方式扩展I/O端口 常用的并行I/O端口扩展方法主要有简单扩展、专用接口芯片扩展和串行扩展三种。 简单扩展就是用74LS377、74LS373、74LS244、74LS245等锁存器、三态门或双向缓冲器构造一个简单的输入/输出端口； 专用接口芯片扩展是采用8155、8255等专用接口芯片来扩展输入/输出端口； 串行扩展是采用串行通讯的方式扩展并行输入/输出端口。 扩展时需要注意以下几点： 扩展的并行I/O端口和外部数据存储器统一编址，采用相同的控制信号，相同的寻址方式和相同的指令（MOVX）. 系统中所有并行I/O口扩展芯片均应按照“输入三态、输出锁存”的原则与总线相连。 注意P0口的负载能力。 1.采用锁存器扩展简单的8位输出端口 7.3.1 简单I/O端口扩展 访问外部数据存储器或数据端口模式(写XRAM) 地址译码方式? 端口地址? MOV DPTR, #7FFFH MOV A，#data MOVX @DPTR，A 2.用三态门扩展8位并行输入端口 访问外部数据存储器或数据端口模式(读XRAM) 学习目标 掌握51单片机扩展总线的结构及组成 掌握并行总线的逻辑与时序 掌握并行总线扩展的地址译码方法 掌握51单片机扩展存储器的方法 掌握51单片机扩展I/O接口的方法 7.1 51单片机扩展总线基础 单片机集成了CPU、I/O接口、存储器、定时器和中断系统等计算机的基本部件，外加电源、复位和时钟等辅助电路即构成一个能够正常工作的最小系统。 然而，51单片机的片上资源终归有限，