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CMOS工艺基础知识 MOS（metal oxide semiconductor金属氧化物半导体），按制程可以分为： Pmos:在MOS制程技术中是最简单，所以被应用的最早。是利用空穴来导电，速度较慢。 Nmos:利用电子来做传导的工作，因为电子的漂移速度约为空穴的二至三倍，因此在相同的条件下，nMOS制程的电路可以工作得比pMOS快。 Cmos：同时包含了nMOS和pMOS，因此制程技术变得较为复杂。通常在CMOS电路中成对的包含nMOS和pMOS晶体管，在稳态时只有一组晶体管能够导通，所以可以说没有静态功率消耗（statIC power）,是目前最省功率的一种电路，现今流行的技术之一。 第1页/共14页 第一页，编辑于星期五：十四点 三十五分。 CMOS工艺基础知识 几个常见的名词： Wafer晶圆 Diffusion（active）扩散、有源区 Implant植入、注入 Poly多晶硅 Substrate衬底 well井 Diode二极管 Bipolar三极管 Resistor电阻 capacitor电容 Source源极 gate 栅极 Drain 漏极 pin引脚 IDM大型垂直型企业 Foundry晶圆代工厂 Fabless 没有制造厂的设计公司 第2页/共14页 第二页，编辑于星期五：十四点 三十五分。 CMOS工艺基础知识 PMOS的基本结构图： PMOS：是通过扩散或离子注入在N阱中掺入3价离子（如硼B铝Al）制作出P型区，分别叫源极和漏极，同时在源漏之间的氧化层上制作一个金属电极（或者是导电的多晶硅）-----栅极，这样就得到一个PMOS管。 第3页/共14页 第三页，编辑于星期五：十四点 三十五分。 CMOS工艺基础知识 第4页/共14页 第四页，编辑于星期五：十四点 三十五分。 CMOS工艺基础知识 NMOS的基本结构图： NMOS：是通过扩散、离子注入等方法在P型衬底上掺入5价离子（如磷P、砷As）制作出两个N型区，分别叫源极和漏极，同时在源漏之间的氧化层上制作一个金属电极（或者是导电的多晶硅）-----栅极，这样就得到一个NMOS管。 第5页/共14页 第五页，编辑于星期五：十四点 三十五分。 CMOS工艺基础知识 第6页/共14页 第六页，编辑于星期五：十四点 三十五分。 CMOS工艺基础知识 CMOS反相器基本结构图： CMOS（Complementary 互补式mos）简单来说，CMOS电路就是在同一个基体上建立pmos和nmos来达成一个逻辑电路，具有相当高的输入阻抗，低功率消耗。 第7页/共14页 第七页，编辑于星期五：十四点 三十五分。 CMOS工艺基础知识 第8页/共14页 第八页，编辑于星期五：十四点 三十五分。 CMOS工艺基础知识 以一个Nwell制程的CMOS反相器为例，看其制造的工艺步骤： 制作Nwell： 1、氧化：在P型硅衬底芯片上生长一层SIO2。 2、光刻：按照光刻版图在氧化层上刻出进行N阱掺杂的窗口。 3、N阱掺杂(掺杂P元素）。 生长场氧： 1、淀积氮化硅层：N阱生成后，应先除去硅片表面的氧化层。然后从新生长一薄层氧化层，并在其上淀积一层薄氮化硅。 2、光刻：按版图进行有源区光刻，并将有源区的氧化层和氮化硅层保留。其余去除。 3、氧化层生长：在没有氧化层和氮化硅层保护的区域，生长一层较厚的氧化层。 第9页/共14页 第九页，编辑于星期五：十四点 三十五分。 CMOS工艺基础知识 以一个Nwell制程的CMOS反相器为例，看其制造的工艺步骤： 制作栅极： 1、生长栅氧化层：去除掉有源区上的氧化层和氮化硅层后，生长一层高质量的薄氧化层作为栅氧化层。 2、在栅氧化层上淀积一层作为栅电极材料的多晶硅。 3、光刻：光刻多晶硅。只保留作栅电极以及其互连作用的多晶硅。 制作PMOS： 1、光刻：按照版图刻出P沟道MOS晶体管源漏区掺杂的窗口。 2、掺杂：通过光刻窗口掺入P型杂质。这时光刻窗口中的多晶硅对掺杂起到“掩模”的作用，故多晶硅下方的区域未掺入杂质。 第10页/共14页 第十页，编辑于星期五：十四点 三十五分。 CMOS工艺基础知识 以一个Nwell制程的CMOS反相器为例，看其制造的工艺步骤： 制作NMOS：1、光刻：去除P沟道MOS管掺杂时用的光刻胶后按版图刻出