三极管的开关特性门电路教程.pptVIP

第三十页，共62页 2.6 CMOS 门电路 2.6.1、CMOS反相器工作原理 CMOS 电路的结构特点是： 一个N沟道管和一个P沟道管配 对使用，即N、P互补（Comp- lementary）。 P管作负载管，N管作输入管， 两管栅极接在一起。 注意：P沟的开启电压是负值 栅极电压要低于源极。 两管导通时的电阻较小为RON 两管截止时的电阻很大为ROFF 第三十一页，共62页 N沟道增强型和P沟道增强型 第三十二页，共62页 (1) 当输入电压VI为低电平时，VI=0 T1管导通，T2管截止，输出电压V0为： VDD (2) 当输入电压VI为高电平时，VI=VDD T1管截止，T2管导通，输出电压V0为：0v 与 TTL 反相器相比，输出高电平更高(= VDD)， 稳态时，且总有一个管子是截止的，工作电流极小，功耗极 低。 第三十三页，共62页 图2.6.2 CMOS反相器的电压传输特性 第三十四页，共62页 图2.6.3 CMOS反相器的电流传输特性 第三十五页，共62页 图2.6.4 不同VDD下CMOS反相器的噪声容限 第三十六页，共62页 图2.6.5 CMOS反相器输入端噪声容限与VDD的关系 第三十七页，共62页 图2.6.6 CMOS反相器的输入保护电路 （a）CC4000系列的输入保护电路 （b）74HC系列的输入保护电路 第三十八页，共62页 图2.6.7 CMOS反相器的输入特性 （a）图2.6.6 (a)电路的输入特性  （b）图2.6.6 (b)电路的输入特性 第三十九页，共62页 图2.6.8 vO= VOL时CMOS反相器的工作状态 第四十页，共62页 图2.6.9 CMOS反相器的低电平输出特性 第四十一页，共62页 图2.6.10 vO= VOH时CMOS反相器的工作状态 第四十二页，共62页 图2.6.11 CMOS反相器的高电平输出特性 第四十三页，共62页 图2.6.12 CMOS反相器传输延迟时间的定义 第四十四页，共62页 第一页，共62页 2. 2 二极管和三极管的开关特性 二极管导通条件及导通时的特点: 二极管截止条件及截止时的特点: 第二页，共62页 第三页，共62页 第四页，共62页 较大的反向漂移电流 一般为纳秒数量级 出现大量的反向电流的原因： 第五页，共62页 在数字电路中，三极管是作为开关使用的。 三极管截止相当于开关断开；三极管饱和相当于开关闭合；因此我们最关心三极管截止和饱和时的情况。 一、开关特性 2.2.2 三极管的开关特性 第六页，共62页 图2.2.6 双极型三极管的特性曲线 (a)输入特性曲线 (b)输出特性曲线 第七页，共62页 图2.2.8 用图解法分析图2.2.7电路  (a)电路图 (b)作图方法 第八页，共62页 截止.饱和条件: 截止条件: 饱和条件: 第九页，共62页 图2.2.9 双极型三极管的开关等效电路 (a)截止状态 (b)饱和导通状态 第十页，共