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三极管的三种状态 / 电子技术论坛 电子发烧友 第一页，共7页 / 电子技术论坛 电子发烧友 + - b c e RL 1k? 共射极放大电路 图 共射极放大电路 VBB VCC VBE IB IE IC + - ?vI +?vBE ?vO + - +?iC +?iE +?iB ?vI = 20mV 设 若 则 电压放大倍数 ?iB = 20 uA ?vO = -?iC? RL = -0.98 V， ? = 0.98 使 第二页，共7页 / 电子技术论坛 电子发烧友 iB=f(uBE)? UCE=const (2) 当UCE 0V时， uCB= uCE - uBE0，部分非平衡少子形成集电极电流 基区复合减少，同样的uBE下 IB减小，特性曲线右移。 (1) 当UCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 一. 输入特性曲线 1.3.3 BJT的特性曲线 （以共射极放大电路为例） 第三页，共7页 / 电子技术论坛 电子发烧友 当UCE≥1V时， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。 但UCE再增加时，曲线右移很不明 显。非平衡少子大多数到达 集电极，集电极电流随集射极 电压无明显变化，此时三极管 内部反馈很小（见输出特性）。 图 共射接法输入特性曲线 第四页，共7页 / 电子技术论坛 电子发烧友 饱和区：iC明显受uCE控制的区域，该区域内，一般uCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏。 iC=f(uCE)? IB=const 二. 输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域: 1.3.3 BJT的特性曲线 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， uBE小于开启电压，发射结、集电结均反偏。 放大区：iC平行于uCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 第五页，共7页
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