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1.解释以下基本概念
肖脱基空位、弗兰克耳空位、刃型位错、螺型位错、混合位错、柏氏矢量、位错密度、位错的滑移、位错的攀移、弗兰克—瑞德源、派—纳力、单位位错、不全位错、堆垛层错、位错反应、扩展位错。
位错:以柏氏矢量说明
位错密度:ρv=L/V(cm/cm3);)
ρa=1/S(1/cm2)
* 第一页,编辑于星期二:十三点 五十二分。 2.纯铁的空位形成能为105kJ/mol. 将纯铁加热到850℃后激冷至室温(20℃),假设高温下的空位能全部保留,试求过饱和空位浓度与室温平衡空位浓度的比值。 * 第二页,编辑于星期二:十三点 五十二分。 解答 利用空位浓度公式计算 Q=105KJ/mol K×Av(阿伏加德罗常数)=1.38×10-23×6.02×1023=8.314J/mol.K 在T1=850 ℃ (1123K) 计算C1 后激冷至室温可以认为全部空位保留下来,即在T2=20℃(293K) 计算C2 取A=1,代入T2,T1及Q,有 C1/C2=6.84672×1013 * 第三页,编辑于星期二:十三点 五十二分。 3.计算银晶体接近熔点时多少个结点上会出现一个空位(已知:银的熔点为960℃,银的空位形成能为1.10eV,1ev=)?若已知Ag的原子直径为0.289nm,问空位在晶体中的平均间距。 1eV=1.602*10-19J 解答 得到Cv=e10.35 Ag为fcc,点阵常数为a=0.40857nm, 设单位体积内点阵数目为N,则N=4/a3,=? 单位体积内空位数Nv=N Cv 若空位均匀分布,间距为L,则有 =? * 第四页,编辑于星期二:十三点 五十二分。 4.割阶或扭折对原位错线运动有何影响? 解答:取决于位错线与相互作用的另外的位错的柏氏矢量关系,位错交截后产生“扭折”或“割阶” “扭折”可以是刃型、亦可是“螺型”,可随位错线一道运动,几乎不产生阻力,且它可因位错线张力而消失 “割阶”都是刃型位错,有滑移割阶和攀移割阶,割阶不会因位错线张力而消失,两个相互垂直螺型位错的交截造成的割节会阻碍位错运动 * 第五页,编辑于星期二:十三点 五十二分。 5.如图,某晶体的滑移面上有一柏氏矢量为b的位错环,并受到一均匀切应力τ。 分析该位错环各段位错的结构类型。 求各段位错线所受的力的大小及方向。 在τ的作用下,该位错环将如何运动? 在τ的作用下,若使此位错环在晶体中稳定不动,其最小半径应为多大? * 第六页,编辑于星期二:十三点 五十二分。 解答:如图所示位错类型,其他部位为混合位错 各段位错线所受的力:τ1=τb,方向垂直位错线 在τ的作用下,位错环扩展 在τ的作用下,若使此位错环在晶体中稳定不动,则τ=Gb/2R,其最小半径应为R=Gb/2τ 螺型 刃型 * 第七页,编辑于星期二:十三点 五十二分。 6.在面心立方晶体中,把两个平行且同号的单位螺型位错从相距100nm推进到3nm时需要用多少功(已知晶体点阵常数a=0.3nm,G=7×1010Pa)? 解答:两个平行且同号的单位螺型位错之间相互作用力为:F= τ b =Gb1b2/2πr,b1=b2,所以F= Gb2/2πr fcc中,b=a[110]/2 0.3nm=0.3×109m 从相距100nm推进到3nm时需要功 * 第八页,编辑于星期二:十三点 五十二分。 7.在简单立方晶体的(100)面上有一个b= a [001]的螺位错。如果它(a)被(001)面上的b= a [010]刃位错交割,(b)被(001)面上b= a [100]的螺位错交割,试问在这两种情形下每个位错上会形成割阶还是弯折? 解答 1. 弯折:被b= a [010]刃位错交割,则交截部分位错沿[010]方向有一段位移(位错线段),此位错线段柏氏矢量仍为b= a [001],故决定的新的滑移面为(100),故为扭折。 2. 同理,被a [100]的螺位错交割,则沿[100] 方向形成一段位错线段,此位错线段柏氏矢量仍为b= a [001],由[100]与[001] 决定的滑移面为(0-10),故为割阶 a [001] a [010] a [100] * 第九页,编辑于星期二:十三点 五十二分。 8.一个b=a[-110]/2的螺位错在(111)面上运动。若在运动过程中遇到障碍物而发生交滑移,请指出交滑移系统。 * 第十页,编辑于星期二:十三点 五十二分。 (111) [-110] (-1-11) (111)面上b=a[-110]/2的螺位错运动过程中遇到障碍物而发生交滑移,理论上能在任何面上交滑移,但实际上只能在与原滑
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