表面电极和界面态对光伏性器件性能影响研究概要.docVIP

表面电极和界面态对光伏性器件性能的影响研究 能源问题是 21 世纪人类面对的最重要问题之一 , 而在各样可重生新能 源中 , 太阳能被以为是人类解决能源问题的最大希望。本文运用 AMPS- 1D(Analysis ofMicroelectronic and Photonic Structures) 程序系统模拟了 Si 材料和 CdTe材料太阳能电池。在光伏型器件研究的诸多问题中 , 我们着重分 析了太阳能电池表面和界面态对器件性能的影响 , 设计了优化器件性能的表面和 界面参数 , 议论了现今太阳能电池制备条件下实现优化参数所面对的主要问题。 希望经过本文的理论研究为工艺改良提供依据。太阳电池表面透明导电层 ( 主要 材料为铟锡氧化物 ) 对生产高质量的太阳能电池起着至关重要的作用。可是铟锡 氧化物 (ITO) 对硅材料太阳能电池存在一个特别大的问题——有关于 p 型硅材料的较低的功函数。本文系统剖析了前端接触 ( 铟锡氧化物 ITO) 对非晶硅 (a-Si) 太阳能电池和微晶硅 ( μc-Si) 太阳能电池的性能影响。剖析表示 , 与微晶硅相比非晶硅更受 φ_(ITO)( 铟锡氧化物功函数 ) 的影响。随着 φ _(ITO) 的增加非晶硅的各项性能 ( 如太阳能电池效率、填充因子等 ) 显著改良。而微晶硅的各项参数虽也随 φ_(ITO) 增加而改变但却更容易趋向于饱和。在实际操作过程中可根据 前端电极的性能来选择合适的 P 型硅材料。界面问题往常也是影响异质结半导 体器件性能的重点因素之一 , 本文研究了非晶硅与微晶硅太阳能电池 i a-Si 和 n c-Si 层的界面问题 , 研究发现界面问题会严重影响太阳能电池的性能 , 并可能 是太阳能电池出现反常的拐弯现象 ( 即所谓的 S 型曲线 ) 的原因之一。经过对照 , 我们发现因为两者的能带差别使得微晶硅太阳能电池受i a-Si/n c-Si 界面问 题的影响要小。本论文模拟了 CdTe/CdS构造的太阳能电池 , 发现只有当 CdTe层的混杂浓度大于 10~(15)cm~(-3), 厚度大于 2μm时 CdTe太阳能电池才能处于比较好的工作状态。接着又议论了 CdTe太阳能电池后端接触问题 , 发现后端接触地区混杂浓度、后端接触势垒会对 CdTe太阳能电池 J-V 曲线造成相像的影响。最后我们研究了在实际常用解决背接触方法 (p-CdTe 和金属背电极之间堆积一层能够实现重混杂的背接触层 ) 所带来的 CdZnTe层构造问题 , 发现 CdZnTe 层的构造会对 CdTe太阳能电池性能带来特别复杂的影响。 【重点词有关文档搜寻】 ： 微电子学与固体电子学 ; 硅 ; 蹄化辐 ; 计算机模拟 【作者有关信息搜寻】 ： 华东师范大学 ; 微电子学与固体电子学 ; 王基庆 ; 张勇 ;