IGBT模块的一种驱动方法.docxVIP

PAGE 1 PAGE 1 IGBT模块的一种驱动方法  本文介绍了光电耦合驱动芯片HCPL-316J，HCPL-3120的功能特点，驱动和保护IGBT模块的详细应用。因为IGBT是电压驱动型开关器件，它的下桥臂需要过流保护功能而上桥臂不需要，上下桥臂采用不同的驱动芯片。采用HCPL-316J芯片驱动IGBT模块的下桥臂，采用HCPL-3120芯片驱动IGBT模块的上桥臂。结果表明，该方法达到了良好的驱动效果。  0引言  　　近年来，新型功率开关器件IGBT已渐渐被人们所熟悉。与以前的各种电力电子器件相比，IGBT具有以下特点：高的输入阻抗，使之可采用通用低成本的驱动线路；高速开关特性；导通状态的损耗低。IGBT在综合性能方面占有明显的优势，并正越来越多地应用到工作频率为几十千赫、输出功率为几千瓦到几十千瓦的各类电力变换装置中。在设计驱动电路时，主要考虑以下的参数：IGBT的额定值；短路电流特性；感性负载的关断特性；最大栅极放射极电压；栅极输入电容；安全工作区特性。  　　光电耦合驱动芯片的特点是输入、输出两侧都是有源的，由它供应的正向脉冲及负向封锁脉冲的宽度可以不受限制，而且可以较简单地通过检测IGBT通态集电极电压实现过流及短路保护，并对外送出过流信号。因此具有使用便利，全都性及稳定性较好的优点。  1IGBT下桥臂驱动芯片HCPL-316J  　　该芯片的主要特征是：16脚双列直插芯片；可驱动150A/1200V的IGBT；宽电源电压范围：15～30V；最大开关时间：0.5us；死区时间：2us；能兼容CMOS/TTL电平；光隔离，故障状态反馈；IGBT“软”关断；VCE欠饱和检测及带滞环欠压锁定保护；用户可配置自动复位、自动关闭。最小共模抑制15kV/μS（在VCM=1500V时）；具有过流关断、欠压封锁功能；当线路过流或VCC欠压时它便可自动封锁全部输出，并发出一报警信号；当高侧的悬浮偏置电压源欠压时，它会通过其内部的欠压自锁电路将3路高侧输出封锁。  　　1.1HCPL-316J内部结构介绍  　　该驱动芯片有过电流检测和欠电压封锁输出（UnderVoltageLock-Out）。当过电流发生时，能输出故障信号（供保护用），并使IGBT软关断。电源电压范围为15～30V，在Vcm=1500V下最小共膜抑制（CMR）电压为15kv/us，用户可设定正/负规律输入、自动复位、自动关断。  图1HCPL-316J内部结构图  　　图1中光耦管LED1等组成了输入掌握电路，Vin+和Vin-分别为正/负规律输入端。当输入负规律信号时，Vin+要求置高电平，Vin-接输入信号；反之当输入正规律信号时，则要求Vin-置低电平，Vin+接输入信号。输入信号门电路由LED1传送到内部驱动电路并转换为IGBT的门极驱动信号。光耦管LED2等组成了故障信号掌握电路，该驱动器7号端子悬空，8号端子接地，Vcc1和GND1为输入侧电源，Vcc2和Vee为输出侧电源，Vc为推挽式输出三极管集电极的电源可直接与Vcc2相接，或者串联一个电阻Rc以限制输出导通电流，Vout为门极驱动电压输出端。可以在被驱动的功率器件过流或门极驱动电路自身电源发生故障时，对被驱动的IGBT进行快速有效的保护。该系列驱动器只需一个非隔离的+15V电源；具有高dv/dt容量；保护功能完善；故障记忆，通过信号告知掌握系统；上下互锁，避免同一桥臂两只IGBT同时开通；栅极电阻外部可调，使得使用不同功率容量的IGBT时都能工作于较高的开关频率，并得到高的转换效率。  　　由LED2等组成的故障保护电路，DESAT为过电流检测输入端，通过串联电阻和箝位二极管与IGBT集电极相连。正常状态下，不可能检测到过电流故障，FAULT为低电平，RS触发器输出端Q保持低电平，确保输入信号通过发光二极管LED1，且故障信号输出为高电平，复位端对输入通道不起作用。若DESAT检测到过电流信号（DESAT端电压超过7V），则FAULT为高电平。该信号经内部规律一方面封锁驱动器输出及LED1的输入信号，另一方面使LED2导通，RS触发器输出端Q为高电平，故障输出为低电平，通知外部微机。当IGBT发生过电流后，驱动器输出电平下降，使IGBT软关断，以避免突然关断时因产生过电压而导致IGBT损坏。另外，由于故障输出端为集电极开路，可实现多个芯片的段并联到微机上。  图2工作时序图  　　端发生故障信号后，将一直保持低电平，直至端输入复位低电平信号为止。  　　在利用下臂驱动芯片驱动比150A/1200V更大的IGBT时，可外接电流缓冲器，以扩大其驱动能力。由图2的工作时序