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- 2021-12-09 发布于安徽
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华南理工大学材料学院电子材料科学与工程系
《传感器及其应用电子技术》
第六章 半导体传感器
第六章 半导体传感器
2011年第二版
华南理工大学材料学院电子材料科学与工程系
《传感器及其应用电子技术》
本章的重点讲述内容:
6.1 半导体管传感器
6.2 半导体集成传感器
2011年第二版
华南理工大学材料学院电子材料科学与工程系
《传感器及其应用电子技术》
磁敏二极管和磁敏三极管
磁敏二极管、三极管是继霍尔元件和磁敏电阻之
后迅速发展起来的新型磁电转换元件。它们具有磁灵敏
度高(磁灵敏度比霍尔元件高数百甚至数千倍);能识
别磁场的极性;体积小、电路简单等特点,因而正日益
得到重视;并在检测、控制等方面得到普遍应用。
2011年第二版
华南理工大学材料学院电子材料科学与工程系
《传感器及其应用电子技术》
(一)磁敏二极管的工作原理和主要特性
1.磁敏二极管的结构与工作原理
(1)磁敏二极管的结构
有硅磁敏二级管和锗磁敏二级管两种。与普通二极管区别:普通二
极管PN结的基区很短,以避免载流子在基区里复合,磁敏二级管的PN结却有
很长的基区,大于载流子的扩散长度,但基区是由接近本征半导体的高阻材料
构成的。一般锗磁敏二级管用ρ=40 Ω•cm左右的P型或N 型单晶做基区(锗本征
半导体的ρ=50 Ω•cm) ,在它的两端有P 型和N 型锗,并引出,若γ代表长基
区,则其PN结实际上是由P γ结和N γ结共同组成。
以2ACM—1A为例,磁敏二级管的结构是P+ +
—i—N 型。
2011年第二版
华南理工大学材料学院电子材料科学与工程系
《传感器及其应用电子技术》
在高纯度锗半导体的两端用合金法制成高掺杂的P型和N 型两个区域,并
在本征区(i )区的一个侧面上,设置高复合区(r 区) ,而与r 区相对的另一侧
面,保持为光滑无复合表面。这就构成了磁敏二极管的管芯,其结构如图。
磁敏二极管的结构和电路符号
(a)结构; (b) 电路符号
2011年第二版
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(2 )磁敏二极管的工作原理
当磁敏二极管的P 区接电源正
极,N 区接电源负极即外加正偏压
时,随着磁敏二极管所受磁场的
变化,
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