介电材料：第二章 高频电容器瓷.pptVIP

* Vox=42.5/3 a=2.01+0.001*14.2 a=o+mVox N=2.01+0.014 a= Interphase:两种相之间的界面。Interface：同种相之间的界面 * * * * Ca2 Ca2Ti3O10 Ca CaTi2O7 * * 其功率 P 为通过的端点电压 U 与通过的电流 I 的乘积，由于其瞬间电流 I 为电压与电阻的比值，即 I=U/R，而电阻 R =1/2πfC, * SrTiO3和BaTiO3陶瓷在常温下的电滞回线见图2－17和图2－18，SrTiO3陶瓷当电场加到30kV/cm时仍为直线，对BaTiO3陶瓷，当电场强度为13kV/cm时就明显地呈现出电滞回线图形。 ?介电材料与器件? 湿化学工艺获得掺杂改性的高介电常数钛酸钡纳米颗粒材料， 双层包覆氧化铝与钙镁硅酸盐物质，包覆层厚度100埃米， 复合PET绝缘聚合物材料，热压成型1微米的薄膜， 薄膜表面喷涂9微米厚的金属电极涂层， 形成超高压超薄平板电容器组件，击穿电压超过4000V， ?介电材料与器件? SrTiO3 系介质陶瓷 SrTiO3系介质具有比BaTiO3系更好的介电性能 ?介电材料与器件? ①SrTiO3的居里温度-250℃，常温下为顺电体。在SrTiO3介质上不会因施加一定电场而导致电畴转动，从而引起电致应变使介质破坏，这就相对地提高了电容器的寿命 ②BaTiO3系介质的在直流场强下出现很大的跌落。有些材料当施加1.5kV/mm,甚至下降50％。而SrTiO3在直流偏压下电压相关性很小，仅仅是略有增加；当SrTiO3系中加入少量CaTiO3时，随直流偏压的增加更为明显 ?介电材料与器件? ③SrTiO3在低压下tand很小，且在较高直流场强下tand仍保持很小，而BaTiO3系材料当加上一定直流场强时，tand迅速增大 ④BaTiO3系瓷料由于加上电场后tand增大而导致介质的热击穿，而SrTiO3 无此现象从而延长了使用寿命。SrTiO3的绝缘电阻及抗电强度等介电性能都较BaTiO3瓷好。 ?介电材料与器件? 改性 一 BaTiO3为基进行掺杂改性， 利用居里峰的移动和展宽效应，使之在使用温度范围内有较高的介电常数，较低的介质损耗和平坦的介电常数温度特性； SrTiO3为基掺加Bi2O3·nTiO2 调节不同和n值，配以微量元素改性和适当的工艺，制成一系列的中高压电容器瓷料 ?介电材料与器件? ①Bi2O3·nTiO2成分中，一般n=1~5。当n＜1时，不易烧结；n＞5时，介电常数温度特性变化加大。 ②稀土元素。加入稀土元素如Y，La和MgO后，可使瓷料晶粒变细，使瓷体更加致密。加La2O3可改善介质的高频损耗特性及提高高温介质绝缘电阻。 ③矿化剂。MnO的加入可减少直流下的变化；少量加入SiO2能明显降低介质烧成温度和减小低频损耗。 ④Bi2O3与SrTiO3比例。两者的摩尔比对介电性能的影响很大，当Bi2O3／SrTiO3比例增大时，e-t（℃）变化减小，e增大，但tand增大。 ?介电材料与器件? Sr1-1.5xBixTiO3 ?介电材料与器件? 反铁电介质陶瓷 ?介电材料与器件? 反铁电陶瓷是较好的高压介质陶瓷，其介电常数与铁电陶瓷相接近，但没有像铁电陶瓷的易介电饱和的缺点。反铁电陶瓷无剩余极化，故适于作中高压电容器的介质材料。 ?介电材料与器件? 相邻晶格中的铁电活性离子沿反平行方向产生自发极化，形成两组反向极化的子晶格，宏观上不呈现自发极化。 反铁电体的介电性质在居里点处也出现反常，介电常数在居里温度以上服从居里－外斯定律 ?介电材料与器件? ?介电材料与器件? 目前，反铁电陶瓷储能电容器性能提高的关键问题是，提高材料的击穿强度。反铁电陶瓷击穿主要有两种情况: 第一种情况是，击穿发生在达到材料的饱和强度之前，由于相变时电致应变造成的应力超过材料所能承受的限度，从而导致击穿破坏。使材料具有细晶结构和增强材料的弹性，可大大减少这种击穿现象。 第二种情况是，击穿发生在超过材料的饱和场强以后，此时反铁电相已经相变为铁电相，在晶界上将呈现很强的空间电荷极化，从而导致晶界突然击穿。这种击穿类似于铁电体在Tc以下的击穿。减少这种击穿的主要措施是增强晶界。 ?介电材料与器件? 反铁电体储能电容器是利用反铁电态与铁电态相变时的储能变化，而以PbZrO3为基的反铁电材料相变场强较高，一般为40-100 kv/cm，所以反铁电体陶瓷电容器适用于高压。 利用反铁电材料具有较高介电常数以及在一定高压下介电常数进一步增大的特性，用它制成的高压电容器在滤波等方面应用亦获得了良好的效果。 但发展反铁电陶瓷电容器有一重大难题，其具有很大的电致应变，尤其是当反铁电态相变为铁电态时，产生很大的应变和应力，有可能