信息显示技术：第八章 场致电子发射显示.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 采用CNT制作FED冷阴极，具有如下优势： 与Spindt结构比，CNT的长径比大，有更大的场增强因子； 大部分CNT具有良好的导电性； CNT具有很高的机械强度和良好的化学稳定性； CNT具有多种制备方法，工艺相对简单，原材料价格相对较便宜； 还可以采用厚膜工艺来加工CNT FEA，降低了大尺寸FED的制作成本，适合批量生产。 碳纳米管（CNT）制备工艺 热化学气相沉积法 衬底：硅片 催化剂： Fe膜、Ni/Cr薄膜 直接生长法 平面光源 最高亮度: 26000 cd/m2 （工作电压: 2.8 kV, 工作电流: 1.6 mA, 效率: 13.8 lm/W ） 典型亮度: 4000 cd/m2 （工作电压: 2.0 kV, 工作电流: 1.2 mA, 效率: 4 lm/W ） (发光面积：34 mm×22.5 mm) 印刷法 CNT FED要实现产业化必须解决以下问题： 碳纳米管的大面积均匀可控制备技术还不成熟； 实现低价格、高效率、低温度下在玻璃基板上直接生长CNT薄膜； 如何在生产线上形成图案化的CNT发射阴极，及三极结构的制备； 在提高亮度的前提下，如何克服发光不均匀、闪烁等现象，如何防止CNT被破坏； 实现大面积显示屏的透明封装； 高发光效率阳极荧光粉材料的选择、制作，及防止老化 （4）弹道电子表面发射型显示器（BSD） 1995年，东京农工大学的越田教授发现，由阳极氧化的单晶硅层会发生电子发射现象，该现象为1998年弹道电子发射现象的发现奠定了基础。 利用此现象，1999年松下电工正式以BSD的名称发表利用弹道电子表面发射型冷阴极电子源的全色平板显示器。 电子发射的原理：当在栅极上施加电压后，电子会从下基板的点击像NPS层（纳米晶-多晶硅层）。由于纳米晶硅的直径只有5nm左右，同电子在硅中的平均自由程（约50nm）相比小得多，因此注入的电子与纳米晶硅晶格发生碰撞的概率非常低。直接到达纳米晶粒与纳米晶粒的界面。该界面由很薄的氧化膜覆盖而成，电子容易隧穿。 （5）表面电场显示器（SED） 由佳能和东芝共同开发的表面电场显示器，属于平面薄膜型横向结构。 性能 指标 像素数 1920*1080 峰值亮度（nit） 450 电离消耗 270W 对比度 100000:1 响应时间 1 ms 55寸SED显示屏性能指标 （6）MIM结构的FED 薄膜内场致电子发射藉电子隧穿效应产生热电子，形成有效发射，有金属-绝缘体-金属（MIM）和金属-绝缘层-半导体-金属（MISM）两种结构。 优点： 发射均匀性好 抗污染能力强 可以在很低的真空度下工作 电子束发散小 缺点： 发射率低 * * * * 2、硅衬底微尖阵列场发射阴极 3、六硼化镧场发射阵列阴极 六硼化镧是一种特殊结构的晶体，具有金属的良好导电性及逸出功低等优点。 在1400℃-1680℃时，可以获得0-100A/cm2的直流发射电流，具有很好的热稳定性及化学稳定性。 不仅在热电子源领域有着广泛的应用，也特别合适场致发射冷阴极使用。 三、微尖发射体的性能 1、微尖发射的特点 与热阴极发射相比，场发射在空间上的均匀性和时间上的稳定性方面都相对较差。 场发射电流不仅与阳极或栅极电压有关，而且与发射体参数有关，后者的影响更大。 实验表明，无论对一个微尖或对一个发射阵列，场发射都是一个统计平均值。当微尖的数量很大时，总的发射电流起伏就变得比较小了。 影响场发射电流的因素很多，主要有发射体的形状、材料的功函数、真空度和表面污染情况等。 2、发射体几何参数的影响 在同样的阴栅极间距和栅极电压下，发射体表面电场由其几何形状决定。 3、发射材料参数的影响 从F-N公式可以看出，功函数对发射电流影响很大，采用低功函数的发射表面是增大电流密度和减小引出电压的有效手段。 常用的发射体材料主要采用难熔的过渡金属元素，特别是Mo，不足之处是功函数较高。可以在发射微尖上沉积一层低功函数薄膜来降低功函数，促进场致电子发射。 四、FED中的发射均匀性和稳定性的问题 1、电阻限流原理 与热阴极发射相比，发射电流的起伏是场发射阴极中存在的最大问题。发射过程中受表面形态变化、离子轰击、气体吸附等多种因素影响，造成发射电流起伏不定。 如果没有自动反馈控制，场发射阴极很难正常工作。这种反馈不能依靠外部电路，只能靠其内部的自动反馈机制实现。 一般采用增加串联电阻的方式。 作用： （1）当个别发射体发射电流过