一种镁热还原制备硅碳负极材料的方法.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局 ，?】D (12)发明专利申请 疆 *lr (10)申请公布号 C\ 11124MM A (43)申请公布日2020. 06.05 申请号 202010048858.0 申请日 2020.01.16 申谐人昆明理工大学 地址650093云南省昆明市九华区学府珞 253号 发明人郭玉忠黄永成黄瑞安 (74)专利代理机构昆明合盛知识产权代理事务 所(普通合伙)53210 代理人龙燕 (51)lnt.CI. H01M 4/36(2006.01) HO1M 4Z?9(2006.01) HO1M 4/^52(2006.01) H01M 10/0525(230.2) B82Y 也如 2011.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 ?种镁热还原制备硅碳负极材料的方法 (57)摘耍 本发明公开一神镁热还原制备硅碳负极材 料的方法，所述方法为:将微硅粉进行焙烧，然后 分散于酸蚀液中，水浴加热后抽波、水洗、干燥得 预处理样品：将预处理样品与镁粉通过球磨混 合，经自然干燥后置于密封石墨堪堪中，转移到 惰性气体的管式炉中，进行镁热反应，所得产物 经酸洗、真空抽滤、水洗、干燥后得多孔晶硅；将 制得的多孔品硅与有机物前驱体混合均匀后干 燥，再咒于保护性气体中,进行固化处理，得硅基 复合材料。本发明通过对微硅粉的酸蚀预处理、 镁热还原处理获得了多孔