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CMOS集成电路基础知识 CMOS 是 ComplementaryMetal-OxideSemiconductor 一词的缩写。在业 余电子制作中我们经常会用到它，这里系统、详细的介绍一些 CMOS 集成电路基础知识及使用注意事项。 CMOS集成电路的性能及特点 功耗低 CMOS集成电路采用场效应管， 且都是互补结构， 工作时两个串联的场 效应管总是处于一个管导通，另一个管截止的状态，电路静态功耗理 论上为零。实际上，由于存在漏电流， CMOS 电路尚有微量静态功耗。 单个门电路的功耗典型值仅为 20mW，动态功耗 （在1MHz 工作频率时） 也仅为几 mW 。 工作电压范围宽 CMOS 集成电路供电简单，供电电源体积小，基本上不需稳压。国产 CC4000系列的集成电路，可在 3~18V 电压下正常工作。 逻辑摆幅大 CMOS集成电路的逻辑高电平 “1、逻辑低电平” “0分别接近于电源高电” 位 VDD 及电影低电位 VSS。当 VDD=15V，VSS=0V时，输出逻辑摆幅近 似 15V。因此，CMOS集成电路的电压电压利用系数在各类集成电路中 指标是较高的。 抗干扰能力强 CMOS集成电路的电压噪声容限的典型值为电源电压的 45%，保证值为 电源电压的 30%。随着电源电压的增加，噪声容限电压的绝对值将成 比例增加。对于 VDD=15V 的供电电压（当 VSS=0V时），电路将有 7V 左右的噪声容限。 输入阻抗高 CMOS 集成电路的输入端一般都是由保护二极管和串联电阻构成的保 护网络，故比一般场效应管的输入电阻稍小，但在正常工作电压范围 内，这些保护二极管均处于反向偏置状态，直流输入阻抗取决于这些 二极管的泄露电流，通常情况下，等效输入阻抗高达 103~1011Ω，因 此 CMOS集成电路几乎不消耗驱动电路的功率。 温度稳定性能好 由于 CMOS集成电路的功耗很低， 内部发热量少， 而且，CMOS 电路线 路结构和电气参数都具有对称性，在温度环境发生变化时，某些参数 能起到自动补偿作用，因而 CMOS 集成电路的温度特性非常好。一般 陶瓷金属封装的电路， 工作温度为 -55~+125℃；塑料封装的电路工作温 度范围为 -45~+85℃。 扇出能力强 扇出能力是用电路输出端所能带动的输入端数来表示的。由于 CMOS 集成电路的输入阻抗极高，因此电路的输出能力受输入电容的限制， 但是，当 CMOS 集成电路用来驱动同类型，如不考虑速度，一般可以 驱动 50 个以上的输入端。 抗辐射能力强 CMOS集成电路中的基本器件是 MOS 晶体管，属于多数载流子导电器 件。各种射线、辐射对其导电性能的影响都有限，因而特别适用于制 作航天及核实验设备。 可控性好 CMOS集成电路输出波形的上升和下降时间可以控制， 其输出的上升和 下降时间的典型值为电路传输延迟时间的 125%~140%。 接口方便 因为 CMOS 集成电路的输入阻抗高和输出摆幅大，所以易于被其他电 路所驱动，也容易驱动其他类型的电路或器件。 CMOS集成电路的工作原理 下面我们通过 CMOS集成电路中的一个最基本电路 -反相器（其他复杂 的 CMOS 集成电路大多是由反相器单元组合而成）入手，分析一下它 的工作过程。利用一个 P 沟道 MOS 管和一个 N 沟道 MOS 管互补连接 就构成了一个最基本的反相器单元电路如附图所示。图中