超导纳米线单光子探测器循环比对实验结果.pdfVIP

GB/T XXXXX—XXXX A A 附 录 A （资料性） 循环比对实验结果 A.1 待测样品封装 SSPD样品芯片在中科院上海微系统所制备，并封装在紫铜盒中。作为示例的待测样品的照片如图 A.1所示。封装盒上面安装了一个温度传感器并引出，这是为了在R 测量时能够实时测量封装盒的温度 D 以及SSPD本身的温度，并用以避免不同温度传感器测量带来的温度差。 图A.1 SSPD 的待测样品照片，其中封装盒上面安装了温度传感器以及连接线 A.2 测试条件 测试条件如下： a) 温度设置：通过温度传感器与控温器将待测样品温度设置为 2.300 K； b) 测试系统：测试系统的示意图如图 3 所示； c) 计数设置：脉冲计数的甄别电压水平在每一偏置点设置为当前脉冲电压高度的 0.7 倍，即 0.7 V 。在每一偏置点的暗计数测量时间设置为 10 s。偏置电流的测试点间隔设置为0.05 A。 pp A.3 测试结果 （a ） I- U 曲线 11 GB/T XXXXX—XXXX （b ）在 1 天内测量 10 次的 R D 曲线 （c ）在相邻 3 天内分别每天测量的 RD 曲线 图A.2 所测量的I-U 曲线和R 曲线 D 12 GB/T XXXXX—XXXX I-U曲线是按照7.2所示的步骤来测量的，结果如图A.2 （a）所示。 由I-U曲线可得I 为