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电力电子技术期末复习资料汇总 电力电子技术期末复习资料汇总 电力电子技术期末复习资料汇总 电力电子技术复习题库 第二章： 1.使晶闸管导通的条件是什么 ①加正向阳极电压； ②加上足够大的正向门极电压。 备注： 晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流。 2.由于通过其门极能控制其开通，但是不能控制其关断，晶闸管才被称为（ 半控型 ）器件。 3.在电力电子系统中，电力MOSFET通常工作在（ A ）状态。 A. 开关 B. 放大 C. 截止 D. 饱和 4.肖特基二极管（SBD）是（ A ）型器件。 A. 单极 B. 双极 C. 混合 5.按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度可以分为： ①不可控器件； ②半控型器件； ③全控型器件 6.下列电力电子器件中，（ C ）不属于双极型电力电子器件。 A. SCR B. 基于PN结的电力二极管 C. 电力MOSFET D. GTR 7.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质，可以将电力电子器件（电力二极管除外）分为（ 电流驱动型 ）和（ 电压驱动型 ）两类。 8.同处理信息的电子器件类似，电力电子器件还可以按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为（ 单极性器件 ）、（ 双极型器件 ）和（ 复合型器件 ）。 9.（ 通态 ）损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。当器件的开关频率较高时，（ 开关 ）损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素。（填“通态”、“断态”或“开关” ） 10.电力电子器件在实际应用中，一般是由（ 控制电路 ）、（ 驱动电路 ）和以电力电子器件为核心的（ 主电路 ）组成一个系统。 11. 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，肖特基二极管（SBD）属于（ 不可控 ）型器件。 12.型号为“KS100-8” 的晶闸管是（ 双向晶闸管 ）晶闸管，其中“100” 表示（ 额定有效电流为100A ），“8”表示（ 额定电压为800V ）。 13.型号为“KK200-9” 的晶闸管是（ 快速晶闸管 ）晶闸管，其中“200” 表示（ 额定有效电流为200A ），“9”表示（ 额定电压为900V ）。 14.单极型器件和复合型器件都是（ 电压驱动 ）型器件，而双极型器件均为（ 电流驱动 ）型器件。（填“电压驱动”或“电流驱动” ） 15. 对同一晶闸管，维持电流IH 擎住电流IL。（填“”、“”或“=” ） 16.维持晶闸管导通的条件是什么怎样才能使晶闸管由导通变为关断 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管阳极电流大于维持电流（保持晶闸管导通的最小电流）； 要使晶闸管由导通变为关断，可使阳极电流小于维持电流可以使晶闸管由导通变为关断。在实际电路中，常采用使阳极电压反向、减小阳极电压，或增大回路阻抗等方式使晶闸管关断。 和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？ 答：CTO的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过门极施加负的脉冲电流使其关断。 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益1 a 和2 a ，由普通晶闸管的分析可得： 1 a + 2 a =1 是器件临界导通的条件。 1 a + 2 a ＞1，两个等效晶体管过饱和而导通；1 a + 2 a ＜1，不能维持饱和导通而关断。 GTO 之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同： GTO 在设计时2 a 较大，这样晶体管V2控制灵敏，易于GTO 关断； ② GTO 导通时的1 a + 2 a 更接近于1，普通晶闸管1 a + 2 a ≥，而GTO 则为1 a + 2 a ≈，GTO 的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件； ③ 多元集成结构使每个GTO 元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。 18.下面电力电子器件中（ D ）属于电压驱动型器件。 A. GTR (电力晶体管) B. GTO（门极可关断晶闸管） C. SCR（晶闸管） D. IGBT（绝缘栅双极性晶体管） 19.下面电力电子器件中（ B ）不属于全控型器件。