微电子技术新进展.pptx

会计学;;;;;The Moore’s Law;Moore’s Law: Quantitative;;;;;;; 2007年英特尔推出45nm正式量产工艺，45nm技术是全新的技术，可以让摩尔定律至少再服役10年。;多核微处理器; AMD四核“Barcelona”处理器 采用300mm晶圆， 45纳米技术制造;二、微电子技术的主要发展方向(1) 电子信息类产品的开发明显出现了两个特点： (1)开发产品的复杂程度激增; (2)开发产品的上市时限紧迫（TTM) 集成电路在电子销售额中的份额逐年提高 已进入后PC时代 计算机（PC)-----Computer 通讯（Cell Telephone )---Communication 消费类电子(汽车电子）---Consumption ; 集成电路追求目标3G(G=109)---3T(T=1012) 存储量（GB—TByte） 速度（GHz—THz)、 数据传输率(Gbps- Tbps, bits per second) 三个主要发展方向： 继续增大晶圆尺寸和缩小特征尺寸 集成电路(IC)将发展成为系统芯片(SOC) 可编程器件可能取代专用集成电路（ASIC） 微电子技术与其它领域相结合将产生新产业和新学科 ;增大晶圆尺寸;;Single die;;;;微电子技术面临的挑战和关键技术;第26页/共55页;INCREASE OF WAFER DIAMETER;COMPARISON OF PRODUCTION COSTS(Cu/Low-K 65 nm);第一个关键技术：Sub-100nm光刻;193nm（immersion) 光刻技术成为 Sub-100nm(90nm-32/22nm)工艺的功臣 ; ;新的一代曝光技术？; ·传统的铝互联（电导率低、易加工） ·铜互连首先在0.25/0.18μm技术中使用 ·在0.13μm以后，铜互连与低介电常数绝缘材料共同使用（预测可缩到20nm） ·高速铜质接头和新型低-k介质材料,探索碳纳米管等替代材料;器件及互连线延迟;互连技术与器件特征尺寸的缩小 ;第36页/共55页; ;;; ;10 nm GATE LENGTH FinFET; ;90nm→65nm工艺：栅极栅介质已经缩小到1.2nm了 （约等于5个原子厚度）栅极栅介质太薄，就会造成漏电电流穿透;在45nm工艺中采用High－K＋金属栅极晶体管 使摩尔定律得到了延伸（可以到35nm、25nm工艺）;隧穿效应 SiO2的性质;Which can replace Si CMOS? Targets: Lower cost Less power consumption Higher performance;;;八十年代的电子系统设计;;集成电路走向系统芯片;SOC主要三个关键支持技术;现场可编程门阵列 (FPGA)替代 专用集成电路（ASIC）;MEMS技术和生物信息技术将成??下一代半导体主流技术;2021/8/16