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电 子 线 路 - 梁 明理 第 五 版 全 答 案 精品资料 第 1 章 半导体器件的特性 1.1 知识点归纳 1.杂质半导体与 PN 结 在本征半导体中掺入不同杂质就形成 N 型和 P 型半导体。半导体中 有两种载流子，自由电子和空穴，载流子因浓度而产生的运动成为扩散 运动，因电位差而产生的运动成为漂移运动。在同一种本征半导体基片 上制作两种杂质半导体，在它们的交界面上，上述两种运动达到动态平 衡，就形成了 PN 结。其基本特性是单向导电性。 2.半导体二极管 一个 PN 结引出电极后就构成了二极管，加上正向偏压时形成扩散 电流，电流与电压呈指数关系，加反向电压时，产生漂移电流，其数值 很小。体现出单向导电性。 3 晶体管 晶体管具有电流放大作用，对发射极正向偏置集电极反向偏置时， 从射区流到基区的非平衡少子中仅有很少部分与基区的多子复合，形成 基极电流 I B ，而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流 I C ，体现出 I B 对 I C 的控制，可将 I C 视为 I B 控制的电流源。晶体管有放大、饱和、 截止三个工作区域。 4.场效应管 仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除 谢谢 - 1 - 精品资料 场效应管是电压控制器件，它通过栅 -源电压的电场效应去控制漏极 电流，因输入回路的 PN 结处于反向偏置或输入端处于绝缘状态因此输 入电阻远大于晶体管。场效应管局又夹断区（即截止区）、横流区（即 线性区）和可比阿安电阻区三个工作区域。 学完本章后应掌握： 1.熟悉下列定义、概念和原理：自由电子与空穴，扩散与漂移，复 合，空间电荷区， PN 结，耗尽层，导电沟道，二极管单向导电性，晶体 管和场效应管的放大作用及三个工作区域。 2.掌握二极管、稳压管、晶体管，场效应管的外特性，主要参数的物 理意义。 1.2 习题与思考题详解 1-1 试简述 PN 结的形成过程。空间电荷压，阻挡层，耗尽层和势垒压等 名称是根据什么特性提出来的。 答： PN 结的形成过程： 当两块半导体结合在一起时， P 区的空穴浓度高于 N 区，于是空穴 将越过交界面由 P 区向 N 区扩散；同理， N 区的电子浓度高于 P 区，电 子越过交界面由 N 区向 P 区扩散。多子由一区扩散到另一区时，形成另 仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除 谢谢 - 2 - I R( I R( SAT ) I D 精品资料 一区的少子并与该区的多子复合，因此，在交界面的一侧留下带负电荷 的受主离子，另一侧留下带正电荷的施主离子。于是在交界面附近形成 一个空间电压区，即 PN 结。 空间电荷压：在 PN 结内无可移动的带电荷之缘故。 势垒层：在 PN 结中， N 区电位高于 P 区电位，两区存在接触电位差 之缘故。 耗尽层：在 PN 结中，只有不能移动的数量相等的正负离子，而载流 子因扩散和复合而消耗掉了之故。 阻挡层：由于 PN 结中存在接触电势压，阻挡了电子扩散之故。 1-2 （1）在室温下，当硅二极管的反向电流达到其反向饱和电流 IR(sat)的 95%时，反向电压是多少 ? (2) 计算偏压为 ±0.1V 时，相应的正向电流和反向电流的比值。 （3）如果反向饱和电流为 10nA，计算相应于电压为 0.6 时的正向电 流，并说明这一结果与实际不符的原因。 V 解： (1) 因为 ID = IR(sat)( e VT －1) 所以 V D = V Tln D = 26mv×ln0.95 = -1.33 mv (2) I D I R I I R( sat ) (e VT VR I R( sat ) ( e VT 1) 1) VD V VR V 1 仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除 谢谢 - 3 - 精品资料 (3) 1-3 在测量二极管的正向电阻时，用表的“ R×10”档测出的阻值小而用 × 100”档测出大，原因何在？ 答：因为万用表“R×10”档的内阻小，测量二极管的正向阻值小 ,而 × 100”档的内阻大，测量的二极管的正向阻值大。 1-4 怎样用万能表判断二极管的极性和好坏？ 答：判断二极管的极性与好坏，选择万用表“ R